[发明专利]保护膜组合物、半导体器件的制造方法及激光切割方法有效
| 申请号： | 202011245360.X | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112876929B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 郭圣扬;刘骐铭;施俊安 | 申请（专利权）人： | 奇美实业股份有限公司 |
| 主分类号： | C09D139/06 | 分类号： | C09D139/06;C09D129/04;C09D5/32;H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护膜 组合 半导体器件 制造 方法 激光 切割 | ||
1.一种保护膜组合物，其特征在于，包括：
水溶性树脂(A)；
激光吸收剂(B)；以及
溶剂(C)，其中
所述水溶性树脂(A)包括聚乙烯吡咯烷酮系水溶性树脂(A-1)，
所述激光吸收剂(B)包括水溶性色素或水溶性紫外光吸收剂，
且所述聚乙烯吡咯烷酮系水溶性树脂(A-1)的K值为75至150。
2.根据权利要求1所述的保护膜组合物，其特征在于，
所述水溶性树脂(A)还包括聚乙烯吡咯烷酮系水溶性树脂(A-2)，
且所述聚乙烯吡咯烷酮系水溶性树脂(A-2)的K值为5至70。
3.根据权利要求1所述的保护膜组合物，其特征在于，
所述聚乙烯吡咯烷酮系水溶性树脂(A-1)的K值为80至140。
4.根据权利要求1所述的保护膜组合物，其特征在于，
所述聚乙烯吡咯烷酮系水溶性树脂(A-1)的K值为80至130。
5.根据权利要求2所述的保护膜组合物，其特征在于，
所述聚乙烯吡咯烷酮系水溶性树脂(A-2)的K值为10至65。
6.根据权利要求2所述的保护膜组合物，其特征在于，
所述聚乙烯吡咯烷酮系水溶性树脂(A-2)的K值为15至65。
7.根据权利要求2所述的保护膜组合物，其特征在于，
基于所述水溶性树脂(A)的使用量为100重量份，
所述聚乙烯吡咯烷酮系水溶性树脂(A-1)的使用量为25重量份至65重量份，
所述聚乙烯吡咯烷酮系水溶性树脂(A-2)的使用量为35重量份至75重量份。
8.根据权利要求1所述的保护膜组合物，其特征在于，
基于所述水溶性树脂(A)的使用量为100重量份，
所述激光吸收剂(B)的使用量为1重量份至30重量份，
所述溶剂(C)的使用量为500重量份至3000重量份。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的保护膜组合物，其用于激光切割用途。
10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
将如权利要求1至8中任一项所述的保护膜组合物应用于基板上而形成保护层的工序；
经由所述保护层对所述基板照射激光，而进行激光切割的工序；以及
对激光切割后的基板进行水洗，而自所述基板除去所述保护层的工序。
11.一种激光切割方法，其特征在于，包括：
将如权利要求1至8中任一项所述的保护膜组合物应用于基板上而形成保护层的工序；
经由所述保护层对所述基板照射激光，而进行激光切割的工序；以及
对激光切割后的基板进行水洗，而自所述基板除去所述保护层的工序。
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C09D139-00 基于有1个或多个不饱和脂族基化合物的均聚物或共聚物的涂料组合物，每个不饱和脂族基只有1个碳-碳双键，并且至少有1个是以连接氮的单键或双键，或以含氮杂环作为终端；基于此种聚合物衍生物的涂料组合物
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