[发明专利]一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法在审
| 申请号： | 202011245394.9 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112509914A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 费晨曦;柏松;王谦;张宏伟;李强;黄润华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 陆烨 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 碳化硅 沟槽 质量 方法 | ||
1.一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤1：对碳化硅衬底进行干法刻蚀，从而在碳化硅衬底上形成栅沟槽；
步骤2：将具有栅沟槽的碳化硅衬底上载至高温炉管；
步骤3：在高温炉管中加入惰性气体，对具有栅沟槽的碳化硅衬底进行第一次高温钝化处理；
步骤4：第一次高温钝化处理完毕后，在高温炉管中加入氢气或者混合气体，对具有栅沟槽的碳化硅衬底进行第二次高温钝化处理；所述混合气体为氢气和硅烷的混合气体、氢气和氮气的混合气体或氢气和氩气的混合气体；
步骤5：待高温炉管的温度降低至预设的温度后，将碳化硅衬底卸载取出。
2.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，其特征在于，所述步骤1中干法刻蚀采用感应耦合等离子体刻蚀法或者反应离子刻蚀法。
3.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，其特征在于，所述步骤3中第一次高温钝化处理时的温度为1300-1700℃，步骤4中第二次高温钝化处理时的温度为1350-1750℃。
4.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，其特征在于，第一次高温钝化处理和第二次高温钝化处理的时间均为0.5-5小时。
5.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，其特征在于，所述步骤3中惰性气体为氮气或者氩气。
6.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，其特征在于，所述步骤3中的惰性气体流量为1-10slm/min；所述步骤4中若只采用氢气则氢气的流量为1-10slm/min；若采用混合气体则混合气体中每一个气体的流量均为1-10slm/min。
7.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，其特征在于，第一次高温钝化处理时高温炉管的压强为5-1000mbar。
8.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，其特征在于，所述第二次高温钝化处理时高温炉管的压强为10-1000mbar。
9.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，其特征在于，第一次高温钝化处理到第二次高度钝化处理之间的温度变化速率为5-15℃/min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
