[发明专利]基于光纤光栅反馈的半导体光纤耦合单模激光器有效

专利信息
申请号: 202011245690.9 申请日: 2020-11-10
公开(公告)号: CN112332206B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 张维;王洋洋;周勇;马晓辉;方文坛;高伟清;赵晨阳;王飞梅;金嘉盛;王玲 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H01S3/067 分类号: H01S3/067;H01S3/082
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 卢敏
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 基于 光纤 光栅 反馈 半导体 耦合 单模 激光器
【权利要求书】:

1.基于光纤光栅反馈的半导体光纤耦合单模激光器,其特征在于:所述激光器的装置包括电流泵浦源、多模半导体激光芯片、准直耦合系统及少模光纤;在所述多模半导体激光芯片的前端面设置有减反膜;在所述少模光纤上刻写有布拉格光纤光栅;

针对激光器谐振波长λ的高阶模式激光反射,对应的布拉格光纤光栅的周期Λ=λ/2neff,其中neff为该高阶模式激光在少模光纤中的有效折射率;

所述激光器的运转过程为:所述电流泵浦源为多模半导体激光芯片提供增益,产生基模激光信号和高阶模式激光信号,经由多模半导体激光芯片前端面的减反膜和准直耦合系统进入到少模光纤中;少模光纤上刻写的特定周期的布拉格光纤光栅将其中的高阶模式激光反射回多模半导体激光芯片继续参与运转谐振,基模激光则直接透过布拉格光纤光栅输出;

准直耦合系统由两个透镜组成,为满足最大耦合效率,两透镜焦距和数值孔径应与多模半导体激光芯片及少模光纤匹配;

多模半导体激光芯片前端面的减反膜为折射率光学厚度nLd=λ/4的单层低折射率膜层,或为对应的等效膜层,其中ns为多模半导体激光芯片的基底折射率、n0为空气折射率。

2.根据权利要求1所述的一种基于光纤光栅反馈的半导体光纤耦合单模激光器,其特征在于:激光器的谐振波长由多模半导体激光芯片后端面刻蚀形成的半导体布拉格反射光栅决定。

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