[发明专利]一种半T型三阶梯金属化安全膜电容器在审

专利信息
申请号: 202011245873.0 申请日: 2020-11-10
公开(公告)号: CN112271082A 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 邓光昭;尤畅;周幸福;张鑫;苏闽榕 申请(专利权)人: 嘉善华瑞赛晶电气设备科技有限公司;无锡赛晶电力电容器有限公司
主分类号: H01G4/33 分类号: H01G4/33;H01G4/224
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 燕宏伟;章洪
地址: 314100 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 阶梯 金属化 安全 电容器
【权利要求书】:

1.一种半T型三阶梯金属化安全膜电容器,其特征在于:所述电容器包括一个绝缘芯棒,以及层叠设置并卷绕在所述绝缘芯棒外侧的第一、第二金属化安全膜,所述第一、第二金属化安全膜具有相同的结构,所述第一金属化安全膜包括一层基膜,一层设置在所述基膜上的金属镀层,以及多个间隔排列的T型绝缘件,所述第一金属化安全膜包括沿所述绝缘芯棒的中心轴方向依次排列的加厚区、低方阻区、中方阻区、高方阻区以及留边区,所述金属镀层设置在加厚区、低方阻区、中方阻区、高方阻区上,在垂直于所述绝缘芯棒的中心轴的截面上所述加厚区的厚度大于所述低方阻区的厚度,所述低方阻区的厚度大于所述中方阻区的厚度,所述中方阻区的厚度大于所述高方阻区的厚度,所述留边区的厚度等于所述基膜的厚度,所述T型绝缘件设置在所述中方阻区、高方阻区上且该T型绝缘件与所述低方阻区间隔设置,所述T型绝缘件与所述基膜相接触,在第一、第二金属化安全膜的展开状态下所述第一金属化安全膜的加厚区、低方阻区、中方阻区、高方阻区以及留边区与所述第二金属化安全膜的加厚区、低方阻区、中方阻区、高方阻区的排列方向相反,在沿所述绝缘芯棒的中心轴方向上所述第一金属化安全膜的留边区的端面与所述第二金属化安全膜的加厚区的端面间隔设置,且所述第二金属化安全膜的留边区的端面与所述第一金属化安全膜的加厚区的端面间隔设置。

2.如权利要求1所述的一种半T型三阶梯金属化安全膜电容器,其特征在于:所述绝缘芯棒由绝缘塑料制成。

3.如权利要求1所述的一种半T型三阶梯金属化安全膜电容器,其特征在于:所述基膜可以由聚丙烯材料制成。

4.如权利要求1所述的一种半T型三阶梯金属化安全膜电容器,其特征在于:所述金属镀层可以由锌铝合金制成。

5.如权利要求1所述的一种半T型三阶梯金属化安全膜电容器,其特征在于:所述T型绝缘件包围所述第一、第二金属化安全膜的一半区域。

6.如权利要求1所述的一种半T型三阶梯金属化安全膜电容器,其特征在于:所述第一、第二金属化安全膜在卷绕所述绝缘芯棒时,所述第一、第二金属化安全膜层叠放置,并且左右错边1~2mm。

7.如权利要求1所述的一种半T型三阶梯金属化安全膜电容器,其特征在于:所述第一、第二金属化安全膜层叠放置时,所述第一、第二金属化安全膜由所述低、高方阻区,或由所述中、高方阻区搭配使用。

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