[发明专利]一种高集成度SRAM

权利要求书

1.一种高集成度SRAM，包括由PMOS管和NMOS管构成的MOS管对；构成MOS管对的PMOS管和NMOS管皆包括纵向层叠设置于衬底上方的各个有源层，各个有源层中，设置于最上方的有源层为顶部有源层，设置于最下方的有源层为底部有源层，PMOS管和NMOS管的底部有源层皆与衬底接触；所述PMOS管和NMOS之间为分隔结构；PMOS管和NMOS管皆具有栅结构，栅结构由栅区和栅介质组成；

其特征在于，

所述PMOS管和NMOS管的栅区皆自顶部有源层的顶面所在平面向下垂直延伸至底部有源层，

PMOS管中，位于底部有源层上方的各有源层构成长方体形的第一有源区；第一有源区被第一隔离结构所环绕，所述第一隔离结构由分隔结构和PMOS管栅结构组成，分隔结构与第一有源区的一个侧面接触，PMOS管栅结构与第一有源区的剩余3个侧面接触；

NMOS管中，位于底部有源层上方的各有源层构成长方体形的第二有源区；第二有源区被第二隔离结构所环绕，所述第二隔离结构由分隔结构、NMOS管栅结构和绝缘区组成，分隔结构与第二有源区的第一个侧面接触，NMOS管栅结构与第二有源区第二个侧面接触，绝缘区与第二有源区的剩余两个侧面接触；

分隔结构包括绝缘材料和金属导体，金属导体穿透绝缘材料至底部有源层，作为底部有源层的电极引出导体。

2.如权利要求1所述的高集成度SRAM，其特征在于，

所述PMOS管中，底部有源层为P+重掺杂层，自底部有源层向上，各有源层依次为P-轻掺杂层、N掺杂层、P+重掺杂层，其中底部有源层作为漏区，顶部有源层作为源区；

所述NMOS管中，底部有源层为N+重掺杂层，自底部有源层向上，各有源层依次为N-轻掺杂层、P掺杂层、N+重掺杂层，其中底部有源层作为漏区，顶部有源层作为源区；

PMOS管和NMOS管的漏区相接，且通过分隔结构中的同一金属导体引出。

3.如权利要求1所述的高集成度SRAM，其特征在于，

所述PMOS管中，底部有源层为P+重掺杂层，自底部有源层向上，各有源层依次为N掺杂层、P-轻掺杂层、P+重掺杂层，其中底部有源层作为源区，顶部有源层作为漏区；

所述NMOS管中，底部有源层为N+重掺杂层，自底部有源层向上，各有源层依次为P掺杂层、N-轻掺杂层、N+重掺杂层，其中底部有源层作为源区，顶部有源层作为漏区；

PMOS管和NMOS管的源区由二氧化硅隔离，且通过分隔结构中的两个独立的金属导体分别引出，两个独立的金属导体之间通过二氧化硅隔离。