[发明专利]一种自限制湿法刻蚀制备高精度银电极的方法

权利要求书

1.一种自限制湿法刻蚀制备高精度银电极的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)ITO/Ag/ITO电极沉积；

2)光刻；

3)上层ITO草酸湿刻；

4)Ag自限制氧化；

5)Ag自限制刻蚀；

6)依次重复步骤4)和步骤5)多次直至Ag刻蚀完成；

7)底层ITO草酸刻蚀；

8)光刻胶剥离；

步骤4)中，采用体积分数2-20％的双氧水溶液或APM溶液，氧化2-10s；

APM溶液是：体积分数30％的浓H₂O₂水溶液：质量分数38％的浓HCl水溶液：水的体积比＝1-2:1-2:5-10的配置；

步骤5)中采用质量浓度1-5％的硝酸溶液，室温下湿刻1-10s。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，采用PVD溅射，上层ITO厚度为50-500A；Ag厚度为500-3000A；下层ITO厚度50-500A。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中光刻为PR厚度1-5μm，能量100-500mj。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3) 中采用质量浓度2-10％草酸水溶液，湿刻2-20s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤7)中采用质量浓度2-10％草酸水溶液，湿刻2-20s。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤8)中，采用NMP剥离液剥离120-600s。