[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 202011247035.7 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112382647B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 任文明;朱飞飞;贾文斌 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 张小勇;刘铁生 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成图案化膜层,所述图案化膜层的第一表面具有凹坑部和非凹坑部;
在所述图案化膜层的第一表面上形成平坦化层,其包括:
在所述凹坑部内形成第一平坦化层,所述第一平坦化层的厚度不大于所述凹坑部的深度;
在所述非凹坑部和所述第一平坦化层上形成第二平坦化层,以使所述第二平坦化层的平整度高于形成所述第一平坦化层后所述图案化膜层的第一表面的平整度;
其中,所述第一平坦化层的亲液性高于所述第二平坦化层的亲液性,以使所述凹坑部的亲液性高于所述非凹坑部的亲液性,所述第一表面为所述图案化膜层背离所述衬底基板的表面。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
在所述凹坑部内形成第一平坦化层,具体包括:
利用狭缝涂布、旋涂或喷涂的工艺在所述图案化膜层的所述第一表面上形成第一平坦化薄膜;
对所述第一平坦化薄膜进行干燥,以形成所述第一平坦化层;
去除位于所述非凹坑部的第一平坦化层,且至少保留部分位于所述凹坑部的所述第一平坦化层。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
在所述凹坑部内形成第一平坦化层,具体包括:
利用打印的工艺在所述凹坑部内形成第一平坦化薄膜;
对所述第一平坦化薄膜进行干燥,以形成所述第一平坦化层。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,
在所述非凹坑部和所述第一平坦化层上形成第二平坦化层,具体包括:
利用狭缝涂布、旋涂或喷涂的方法在所述非凹坑部和所述第一平坦化层上形成第二平坦化薄膜;
对所述第二平坦化薄膜进行干燥,以形成所述第二平坦化层。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述非凹坑部上形成疏液层,以使所述凹坑部的亲液性高于所述非凹坑部的亲液性。
6.一种显示基板,应用权利要求1-5中任一所述的显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
衬底基板及设置于所述衬底基板上的图案化膜层,所述图案化膜层的第一表面具有凹坑部和非凹坑部;
平坦化层,所述平坦化层设置于所述图案化膜层的第一表面;
其中,所述平坦化层包括:
第一平坦化层,所述第一平坦化层设置于所述凹坑部内,且其厚度不大于所述凹坑部的深度;
第二平坦化层,所述第二平坦化层设置于所述非凹坑部和所述第一平坦化层上;
其中,所述第一平坦化层的亲液性高于所述第二平坦化层的亲液性,以使所述凹坑部的亲液性高于所述非凹坑部的亲液性,所述第一表面为所述图案化膜层背离所述衬底基板的表面。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,还包括:
疏液层,所述疏液层设置于所述非凹坑部上,以使所述凹坑部的亲液性高于所述非凹坑部的亲液性。
8.一种显示面板,其特征在于,包括:
如权利要求6-7中任一所述的显示基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求8所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的