[发明专利]立式热处理设备有效
申请号: | 202011247176.9 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112490147B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 杨帅;杨慧萍 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C30B33/02;C30B29/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立式 热处理 设备 | ||
1.一种立式热处理设备,用于对待加工工件进行热处理工艺,包括:机箱、工艺腔室和加热腔室,所述加热腔室和所述工艺腔室均固定设置于所述机箱的顶部,且所述工艺腔室位于所述加热腔室内,所述工艺腔室用于容置所述待加工工件,其特征在于:
所述立式热处理设备还包括检测组件,所述检测组件包括发射传感器,所述发射传感器设置于所述加热腔室的顶部,所述机箱内部的底面上相对所述发射传感器设置有第一反射部;
所述工艺腔室的顶部具有透光部及第一遮光部,所述透光部位于所述发射传感器发射的光束的路径上,所述第一遮光部环绕所述透光部设置;通过判断所述发射传感器是否能接收到所述第一反射部反射的光束,用以检测所述工艺腔室是否与所述加热腔室同心设置。
2.如权利要求1所述的立式热处理设备,其特征在于,所述立式热处理设备还包括晶舟及工艺门,所述晶舟用于承载所述待加工工件,所述晶舟设置于所述工艺门上,用于通过所述工艺门移入或者移出所述工艺腔室;
所述晶舟包括顶板,所述顶板上相对所述发射传感器设置有第二反射部,第二遮光部环绕所述第二反射部设置;
通过判断所述发射传感器是否能接收到所述第二反射部反射的光束,用以检测所述晶舟与所述工艺腔室及所述加热腔室是否同心设置。
3.如权利要求2所述的立式热处理设备,其特征在于,所述工艺腔室的顶部设有进气孔,所述进气孔用于通入工艺气体;
所述顶板上表面具有导流面,所述导流面用于对从所述进气孔通入的所述工艺气体进行导流,以使所述工艺气体经所述晶舟的顶部分流至所述晶舟的侧部。
4.如权利要求3所述的立式热处理设备,其特征在于,所述导流面为圆台面,所述第二反射部设置于所述圆台面的顶部平面上,所述第二遮光部设置于所述圆台面的侧面上;所述发射传感器设于所述加热腔室的顶部居中位置。
5.如权利要求2所述的立式热处理设备,其特征在于,所述顶板为石英材质,所述顶板上表面采用喷砂方式处理以形成所述第二遮光部。
6.如权利要求1所述的立式热处理设备,其特征在于,所述加热腔室的顶壁上设置有通光孔,所述发射传感器对应设置在所述通光孔位置处,并且所述发射传感器通过所述通光孔发射并接收光束。
7.如权利要求6所述的立式热处理设备,其特征在于,所述顶壁包括层叠设置的外罩及保温板,所述保温板靠近所述工艺腔室设置,所述发射传感器设置于所述外罩及所述保温板之间,并且所述通光孔设置于所述保温板上。
8.如权利要求6所述的立式热处理设备,其特征在于,所述通光孔的直径大于所述发射传感器的光束直径,并且所述通光孔的孔径与所述发射传感器的光束直径对应设置。
9.如权利要求2所述的立式热处理设备,其特征在于,所述第一反射部为设置于所述机箱上的反光涂层或者反光板,所述第二反射部为设置于所述晶舟顶部的反光涂层或者反光板。
10.如权利要求1至9任意一项所述的立式热处理设备,其特征在于,所述工艺腔室为透明石英材质制成,所述工艺腔室的顶部为弧面,且所述第一遮光部采用喷砂方式形成于所述工艺腔室的顶面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造