[发明专利]液晶显示装置和制造液晶显示装置的方法在审
申请号: | 202011247762.3 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112782883A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 金昌垠;金圣姬;李受政 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;陈炜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示装置,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括与背光源相邻地设置的第一基板以及设置在所述第一基板上的薄膜晶体管和触摸电极;以及
相对基板,所述相对基板包括面对所述第一基板的第二基板以及沉积在所述第二基板的外表面上的静电防止层,其中在所述第一基板与所述第二基板之间插入有液晶层,
其中,所述静电防止层由包含In2O3和SnO2中的至少一种的主体材料以及包含SiO2、ZrO2、HfO2、Nb2O5和Ta2O5中的至少一种的掺杂剂材料形成,并且所述静电防止层具有106.5Ω/sq至109Ω/sq的薄层电阻。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述掺杂剂材料的含量比率在9wt%至15wt%的范围内,并且
所述主体材料的含量比率在85wt%至91wt%的范围内。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置,其中,当所述主体材料是In2O3和SnO2中的一种时,所述掺杂剂材料的含量比率在12wt%至15wt%的范围内并且所述主体材料的含量比率在85wt%至88wt%的范围内,并且
当所述主体材料是In2O3和SnO2时,所述掺杂剂材料的含量比率在9wt%至11wt%的范围内并且所述主体材料的含量比率在89wt%至91wt%的范围内。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置,其中,当所述主体材料是In2O3和SnO2时,SnO2的含量比率在50wt%至70wt%的范围内。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述掺杂剂材料是SiO2。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述静电防止层的厚度在至的范围内。
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述静电防止层具有97%或更高的透射率。
8.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述相对基板包括:
在所述第二基板的内表面上的柱状间隔件;以及
在所述柱状间隔件和所述第二基板的内表面上的取向层。
9.根据权利要求1所述的液晶显示装置,还包括:
偏振板,所述偏振板附接至所述静电防止层的顶表面;以及
盖窗,所述盖窗附接至所述偏振板的顶表面。
10.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述阵列基板包括形成在像素区域中的像素电极和滤色器图案,以及
其中,在图像显示时段期间,在所述像素电极与所述触摸电极之间产生驱动所述液晶层的电场。
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