[发明专利]封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种封装件，包括：

多个介电层；

在所述多个介电层中的每个中的多个再分布线；

贯穿所述多个介电层中的介电贯通孔，其中，所述介电贯通孔具有贯穿所述多个介电层的基本上笔直的边缘；

在所述多个介电层中的堆叠通孔，其中，所述堆叠通孔彼此电连接以形成贯穿所述多个介电层的连续的电连接件；

在所述介电贯通孔和所述多个再分布线上方的并且连接至所述介电贯通孔和所述多个再分布线的多个接合焊盘；

第一介电层，所述多个接合焊盘位于所述第一介电层中；以及

接合至所述第一介电层和所述多个接合焊盘的第一部分的第一器件管芯。

2.根据权利要求1所述的封装件，还包括通过混合接合接合至所述第一介电层和所述多个接合焊盘的第二部分的第二器件管芯，其中，所述第一器件管芯和所述第二器件管芯通过所述多个再分布线彼此电耦接。

3.根据权利要求1所述的封装件，还包括：

在所述第一器件管芯上方并接合至所述第一器件管芯的第二器件管芯；

接触所述第二器件管芯的半导体衬底的接合焊盘，其中，所述接合焊盘的至少一部分在所述第二器件管芯的所述半导体衬底上方；

第二介电层，所述接合焊盘具有在所述第二介电层中的至少一部分；以及

在所述第二介电层和所述接合焊盘上方并且接合至所述第二介电层和所述接合焊盘的块状衬底。

4.根据权利要求3所述的封装件，其中，所述块状衬底由硅形成，并且在所述块状衬底上没有形成有源器件和无源器件。

5.根据权利要求3所述的封装件，其中，所述接合焊盘进一步延伸至所述第二器件管芯的所述半导体衬底中。

6.根据权利要求3所述的封装件，其中，所述接合焊盘形成栅格。

7.一种集成电路封装件，所述封装件包括：

多个介电层；

在所述个介电层中的无源器件；

贯穿所述多个介电层中的介电贯通孔；

在所述多个介电层中的堆叠通孔，其中，所述堆叠通孔彼此电连接以形成贯穿所述多个介电层的连续的电连接件；

第一接合焊盘在所述堆叠通孔上方并与所述堆叠通孔的顶部通孔接触；

第二接合焊盘在所述介电贯通孔上方并与所述介电贯通孔接触；

器件管芯在所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘上方，并接合至所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘。

8.根据权利要求7所述的封装件，其中，所述器件管芯包括半导体衬底，并且所述封装件还包括延伸至所述半导体衬底的中间水平的第三接合焊盘，并且其中，所述中间水平在所述半导体衬底的顶面和底面之间。

9.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述第三接合焊盘的所述底面接触所述半导体衬底的表面以形成界面。

10.一种形成封装件的方法，包括：

形成多个介电层；

在所述多个介电层中的每个中形成多个再分布线；

在所述多个介电层中形成无源器件；

形成贯穿所述多个介电层的第一介电贯通孔和第二介电贯通孔；

在所述多个介电层上方形成介电层；

在所述介电层中形成多个接合焊盘并且电耦接至所述第一介电贯通孔、所述第二介电贯通孔、以及所述多个再分布线；以及

通过混合接合将第一器件管芯和第二器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘，其中，所述第一器件管芯和所述第二器件管芯通过所述多个再分布线电互连，以及所述第一器件管芯和所述第二器件管芯分别连接到所述第一介电贯通孔和所述第二介电贯通孔；

在所述第一器件管芯和所述第二器件管芯的相对侧上填充间隙填充材料；

形成贯穿所述间隙填充材料的第三介电贯通孔；以及

将管芯堆叠件接合至所述第三介电贯通孔。