[发明专利]一种三维姿态测量方法

权利要求书

1.一种三维姿态测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、将待测量目标与反射面组合体固定；

步骤2、将光电自准直仪中测量滚转角的光电传感器替换为虚拟单维高分辨成像元件；所述虚拟单维高分辨成像元件包括基底和两个CMOS成像元件，所述两个CMOS成像元件分别固定于所述基底的同侧两端，所述基底的长度大于10倍的所述CMOS成像元件的尺寸；

步骤3、采用公式(1)统一所述两个CMOS成像元件的坐标系：

其中，(x,y)、(x′,y′)分别为两个CMOS成像元件的坐标系中的坐标，θ、x₀、y₀均为坐标系变换参数；

θ的计算过程为：将待测量目标任意旋转一个滚转角度θ₁，在两个CMOS成像元件的坐标系中分别采用公式(2)和公式(3)拟合求得滚转角，计算两个坐标系下滚转角的差值θ₁-θ′₁；再次任意旋转一个滚转角度θ₂，采用同样的方式计算两个坐标系下滚转角的差值θ₂-θ′₂，则θ＝θ₁-θ′₁＝θ₂-θ′₂，其中，b₁及b′₁、b₂及b′₂均为拟合参数；

y＝tanθ₁*x+b₁ (2)

y′＝tanθ′₁*x′+b′₁ (3)

采用公式(4)计算x₀、y₀的取值：

步骤4、采用步骤3得到的统一坐标系，分别计算两个CMOS成像元件上的光强质心，由质心连线即可计算得到光斑斜率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底的材料为熔融石英。