[发明专利]一种三态与非门电路及芯片

权利要求书

1.一种三态与非门电路，其特征在于，包括：第一碳纳米场效应晶体管、第二碳纳米场效应晶体管、第三碳纳米场效应晶体管、第四碳纳米场效应晶体管、第五碳纳米场效应晶体管、第六碳纳米场效应晶体管、第七碳纳米场效应晶体管及第八碳纳米场效应晶体管，所述第一碳纳米场效应晶体管、第二碳纳米场效应晶体管、第五碳纳米场效应晶体管及第六碳纳米场效应晶体管为N型碳纳米场效应晶体管，所述第三碳纳米场效应晶体管、第四碳纳米场效应晶体管、第七碳纳米场效应晶体管及第八碳纳米场效应晶体管为P型碳纳米场效应晶体管；

所述第一碳纳米场效应晶体管的源极与第二碳纳米场效应晶体管的漏极连接，所述第二纳米场效应晶体管的源极接电源地，所述第一碳纳米场效应晶体管与第二碳纳米场效应晶体管的阈值电压相同；

所述第三碳纳米场效应晶体管与第四碳纳米场效应晶体管并联，所述第三碳纳米场效应晶体管与第四碳纳米场效应晶体管的阈值电压相同，所述第三碳纳米场效应晶体管与所述第四碳纳米场效应晶体管的源极分别接第一供电电源，所述第三碳纳米场效应晶体管与所述第四碳纳米场效应晶体管的漏极分别与所述第一碳纳米场效应晶体管的源极连接，且其连接端为信号输出端；

所述第七碳纳米场效应晶体管与第八碳纳米场效应晶体管并联，所述第七碳纳米场效应晶体管与第八碳纳米场效应晶体管的阈值电压相同，所述第七碳纳米场效应晶体管与所述第八碳纳米场效应晶体管的源极分别接第二供电电源；

所述第七碳纳米场效应晶体管及第八碳纳米场效应晶体管的漏极分别与第五碳纳米场效应晶体管的源极连接，所述第五碳纳米场效应晶体管漏极与第六碳纳米场效应晶体管的源极连接，所述第六碳纳米场效应晶体管的漏极与所述第三碳纳米场效应晶体管及第四碳纳米场效应晶体管的漏极连接；或者，所述第七碳纳米场效应晶体管及第八碳纳米场效应晶体管的漏极分别与第五碳纳米场效应晶体管的漏极连接，所述第五碳纳米场效应晶体管源极与第六碳纳米场效应晶体管的漏极连接，所述第六碳纳米场效应晶体管的源极与所述第三碳纳米场效应晶体管及第四碳纳米场效应晶体管的漏极连接；

所述第五碳纳米场效应晶体管与第六碳纳米场效应晶体管的阈值电压相同；

所述第一碳纳米场效应晶体管、第二碳纳米场效应晶体管、第三碳纳米场效应晶体管、第四碳纳米场效应晶体管、第五碳纳米场效应晶体管、第六碳纳米场效应晶体管、第七碳纳米场效应晶体管及第八碳纳米场效应晶体管的栅极为信号输入端。

2.根据权利要求1所述的三态与非门电路，其特征在于，所述第一碳纳米场效应晶体管及第二碳纳米场效应晶体管的阈值电压分别为0.549V，第三碳纳米场效应晶体管与第四碳纳米场效应晶体管的阈值电压分别为-0.549V，第五碳纳米场效应晶体管与第六碳纳米场效应晶体管的阈值电压分别为0.078V，第七碳纳米场效应晶体管及第八碳纳米场效应晶体管的阈值电压分别为-0.078V。

3.根据权利要求1或2所述的三态与非门电路，其特征在于，所述第一碳纳米场效应晶体管、第二碳纳米场效应晶体管、所述第三碳纳米场效应晶体管与第四碳纳米场效应晶体管的衬底电压不偏置，所述第五碳纳米场效应晶体管、第六碳纳米场效应晶体管、第七碳纳米场效应晶体管及第八碳纳米场效应晶体管的衬底电压偏置。

4.根据权利要求3所述的三态与非门电路，其特征在于，所述第五碳纳米场效应晶体管及第六碳纳米场效应晶体管衬底正向偏置电压为0.9V。

5.根据权利要求1、3或4所述的三态与非门电路，其特征在于，所述第七碳纳米场效应晶体管及第八碳纳米场效应晶体管的衬底正向偏置电压为0V。

6.根据权利要求1所述的三态与非门电路，其特征在于，所述第一供电电源电压为0.9V，第二供电电源电压为0.45V。

7.一种芯片，其特征在于，包括基板，在所述基板上设有权利要求1至6任一所述的三态与非门电路，所述三态与非门电路的信号输入端与基板上的上一级电路输出端连接，所述三态与非门电路的信号输出端与基板上的下一级电路输入端连接，所述三态与非门电路用于输入输出开关量信号。