[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，其至少包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一半导体有源区；

形成一多晶硅层于所述半导体衬底上，并在所述多晶硅层上定义栅极图形，所述栅极图形在所述半导体衬底上的正投影与所述第一半导体有源区重叠部分正上方的多晶硅层为第一栅极区，所述栅极图形在所述半导体衬底上的正投影与第二半导体有源区重叠部分正上方的多晶硅层为第二栅极区；

在所述多晶硅层上形成第三光阻层和第四光阻层，所述第三光阻层覆盖所述第一栅极区，所述第四光阻层覆盖所述第二栅极区；

根据所述第三光阻层和所述第四光阻层蚀刻所述多晶硅层，以形成栅极，形成所述栅极后去除所述第三光阻层和所述第四光阻层；

形成第一光阻层和第二光阻层于所述栅极和所述半导体衬底上，所述第一光阻层覆盖所述第一半导体有源区和所述第一半导体有源区正上方的所述栅极；

以所述第一光阻层和所述第二光阻层为掩膜，对所述栅极注入离子；

去除所述第一光阻层和所述第二光阻层，对所述栅极进行退火。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底还包括第二半导体有源区，且所述第二半导体有源区和所述第一半导体有源区为不同类型的有源区。

3.根据权利要求2所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底还包括第一沟槽隔离结构，所述第一沟槽隔离结构位于所述第一半导体有源区相对于所述第二半导体有源区的另一侧。

4.根据权利要求2所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底还包括第二沟槽隔离结构，所述第二沟槽隔离结构位于所述第一半导体有源区和所述第二半导体有源区之间。

5.根据权利要求4所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底还包括第三沟槽隔离结构，所述第三沟槽隔离结构位于所述第二半导体有源区相对于所述第一半导体有源区的另一侧。

6.根据权利要求5所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第二光阻层覆盖所述第二半导体有源区、所述第三沟槽隔离结构和部分所述第二沟槽隔离结构。

7.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：在形成所述多晶硅层于所述半导体衬底上之前，还包括在所述半导体衬底上形成一氧化层。