[发明专利]保护部件的设置方法和保护部件的制造方法在审
申请号: | 202011251102.2 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN112802790A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 有福法久;金子智洋;铃木章文;木村昌照 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 部件 设置 方法 制造 | ||
本发明提供保护部件的设置方法和保护部件的制造方法,该保护部件即使从被加工物剥离也不会作为残渣而残留在被加工物上,减少在加工中成为垫层而使被加工物缺损或使芯片飞散的情况。保护部件的设置方法包含如下的步骤:树脂提供步骤,向支承工作台的平坦的支承面提供热塑性树脂;保护部件形成步骤,对热塑性树脂一边进行加热而软化一边沿着支承面推开而成型为片状,在支承面上形成片状的热塑性树脂的保护部件;保护部件粘接步骤,使作为被加工物的一个面的正面紧贴于片状的保护部件的一个面,对紧贴的保护部件进行加热而将保护部件粘接于被加工物;和粘接后冷却步骤,对通过保护部件粘接步骤进行了加热的保护部件进行冷却。
技术领域
本发明涉及保护部件的设置方法和保护部件的制造方法。
背景技术
在对半导体晶片或树脂封装基板、陶瓷基板、玻璃基板等各种板状的被加工物进行磨削而薄化,或者利用切削刀具、激光光线进行分割时,将被加工物保持于卡盘工作台。关于被加工物,为了防止加工时被保持的面与卡盘工作台接触而损伤或污染,或者为了在分割后能够一并进行搬送,通常在被保持的面上粘贴粘接带(参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2013-021017号公报
在专利文献1的方法中,存在如下的问题:在将粘接带剥离时,粘接材料等的残渣会残留在被加工物上。另外,存在如下的问题:在加工中粘接带的糊料层会成为垫层,有可能使被加工物发生振动而缺损或使芯片飞散。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供保护部件的设置方法和保护部件的制造方法,该保护部件即使从被加工物剥离也不会作为残渣而残留在被加工物上,减少在加工中成为垫层而使被加工物缺损或使芯片飞散的情况。
根据本发明的一个方式,提供保护部件的设置方法,该保护部件对板状的被加工物的一个面进行保护,其中,该保护部件的设置方法具有如下的步骤:树脂提供步骤,向支承工作台的平坦的支承面提供块状、带状、粒状或流动体状的热塑性树脂;保护部件形成步骤,对该热塑性树脂一边进行加热而软化一边沿着该支承面推开而成型为片状,在该支承面上形成片状的该热塑性树脂的保护部件;保护部件粘接步骤,使被加工物的一个面紧贴于片状的该保护部件的一个面,对紧贴的该保护部件进行加热而将该保护部件粘接于被加工物;以及粘接后冷却步骤,对通过该保护部件粘接步骤进行了加热的该保护部件进行冷却。
优选关于通过该保护部件粘接步骤对该保护部件进行加热的条件,与通过该保护部件形成步骤对该热塑性树脂进行加热的条件相比,温度更低或加热时间更短。
优选该保护部件形成步骤包含对成型为片状的保护部件进行冷却的成型后冷却步骤。
优选在该保护部件形成步骤中,将该热塑性树脂成型为将被加工物的一个面无间断地覆盖的大小的片状。
优选在该保护部件形成步骤中,利用平行于该支承面的平坦的按压面将该热塑性树脂推开。
优选被加工物的一个面具有凹凸的构造物,通过该保护部件形成步骤而成型的片状的该保护部件的厚度被成型得比该凹凸的高度厚。
优选通过该树脂提供步骤而提供的该热塑性树脂混合有填料。
优选在该保护部件粘接步骤中,将该保护部件的被加工物的外周的区域粘接于围绕被加工物的环状框架上,形成利用该保护部件将被加工物固定于该环状框架的开口而得的框架单元。
优选在该保护部件形成步骤中,在片状的该保护部件的外周缘形成该热塑性树脂的厚壁部,在该保护部件粘接步骤中,在该片状的区域粘接被加工物,该厚壁部作为增强部件发挥功能。
优选与通过该保护部件形成步骤对该热塑性树脂进行成型时相比,在通过该保护部件粘接步骤将该热塑性树脂粘接于被加工物时,该热塑性树脂的加热时间更短,或加热温度更低,或按压量更少。
优选被加工物是在正面上具有半导体器件的半导体晶片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造