[发明专利]一种自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋及其晶体生长方法有效
申请号: | 202011251211.4 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112522786B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 田相鑫;张永专;刘伟;李传明;崔亮;刘敬权 | 申请(专利权)人: | 临沂大学 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B9/12;H01S5/30 |
代理公司: | 天津睿勤专利代理事务所(普通合伙) 12225 | 代理人: | 孟福成 |
地址: | 276005 山东省临*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激发 复合 功能 晶体 钼酸 及其 晶体生长 方法 | ||
1.一种自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋,其特征在于:化学式为Bi2Mo0.23W1.77O9,属于正交晶系,Pbcn(No.60)空间群。
2.一种权利要求1所述的自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋的晶体生长方法,其特征在于:包括步骤如下:
将Bi2O3、MoO3和WO3按照化学计量比配料,采用球磨机充分混合均匀后在压料机上压实,在300~600℃范围内进行固相烧结,合成钨钼酸铋多晶,与助熔剂按照摩尔比为1:(0.2-6)充分混合均匀,放入铂坩埚,升温使原料完全熔化,调温至750℃,下入铂籽晶杆并使之转动,程序降温使晶体自发结晶;
或者将Bi2O3、WO3和MoO3按照化学计量比配料,加入到助熔剂中,与助熔剂按照摩尔比为1:(0.2-6),放入铂坩埚,升温使原料完全熔化,调温至750℃,降温至高温溶液的饱和温度,下入钨钼酸铋籽晶并转动,降温使晶体生长;
所述助熔剂为下列之一:
a)Bi2O3-MoO3,其中Bi2O3与MoO3摩尔比在1~1.8:1;
b)Bi2O3;
c)MoO3;
d)Li2O-B2O3,其中Li2O与B2O3的摩尔比在0.5~2:1。
3.如权利要求2所述的晶体生长方法,其特征在于:钨钼酸铋晶体的生长温度区间为700~750℃,降温速率为0.005~3℃/h。
4.如权利要求2所述的晶体生长方法,其特征在于:钨钼酸铋晶体的生长温度区间为730~750℃,降温速率为0.01~1℃/h。
5.如权利要求2所述的晶体生长方法,其特征在于:钨钼酸铋晶体生长的晶转参数为:转速10~45r/min,运行20~200s,停止20~60s,反向运行20~200s。
6.如权利要求2所述的晶体生长方法,其特征在于:在Bi2O3、MoO3、WO3中,加入摩尔分数为0.1~20%的稀土激活离子。
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