[发明专利]一种二硫化钼薄膜辅助的热光调制器在审
| 申请号： | 202011251586.0 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112526771A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 甘雪涛;黎志文 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 薄膜 辅助 调制器 | ||
1.一种二硫化钼薄膜辅助的热光调制器，其特征在于包括二硫化钼薄膜(1)、微环谐振腔(2)、总线波导(3)以及两个金属电极(4、5)。
2.根据权利要求1所述二硫化钼薄膜辅助的热光调制器，其特征在于：所述二硫化钼薄膜(1)集成于所述微环谐振腔(2)的上表面，所述金属电极(4、5)分别覆盖于所述微环谐振腔(2)内外两侧的所述二硫化钼薄膜(1)上。
3.根据权利要求1所述二硫化钼薄膜辅助的热光调制器，其特征在于：所述微环谐振腔(2)与所述总线波导(3)之间存在间隙，相互采用侧向耦合的方式进行光信号的耦合。
4.根据权利要求1所述二硫化钼薄膜辅助的热光调制器，所述二硫化钼薄膜(1)也可以是其他带隙大于0.9电子伏特的二维半导体层状材料。
5.根据权利要求1所述二硫化钼薄膜辅助的热光调制器，所述二硫化钼薄膜(1)覆盖于所述微环谐振腔(2)上表面；所述两个金属电极(4、5)分别覆盖于所述微环谐振腔(2)内外两侧的所述二硫化钼薄膜(1)表面；施加在所述金属电极(4、5)上的电偏压将使得所述二硫化钼薄膜(1)中产生焦耳热，并通过热传导传递到所述微环谐振腔(2)中；所述微环谐振腔(2)吸收热量后发生温度升高，并通过热光效应使得微环谐振腔的谐振波长发生移动；通过移动所述微环谐振腔(2)的谐振波长，使得信号光波长与微环谐振腔的谐振波长重合与否，可以实现信号光在所述总线波导(3)输出端的输出光功率变化，从而实现调制功能。
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