[发明专利]调整半导体结构中的薄膜电阻层的阻值的方法在审
| 申请号： | 202011251737.2 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN113611657A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张维峻;符云飞;张幼弟;黄清俊;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调整 半导体 结构 中的 薄膜 电阻 阻值 方法 | ||
1.一种调整半导体结构中的薄膜电阻层的阻值的方法，包含:
形成薄膜电阻层，其中该薄膜电阻层材质包含氮化钛，该薄膜电阻层具有原始阻值；
在该薄膜电阻层上方形成具有拉力的掩模层，且该具有拉力的掩模层改变该薄膜电阻层的晶格尺寸，使得该薄膜电阻层的晶格尺寸变大，并且降低该薄膜电阻层的该原始阻值。
2.如权利要求1所述的方法，其中该掩模层的材质包含氮化硅。
3.如权利要求1所述的方法，其中形成该具有拉力的掩模层的方法，包含在形成该掩模层的过程中，通入硅烷(SiH4)气体、氨气(NH3)与进行高频射频(high frequency radiofrequency，HFRF)步骤。
4.如权利要求3所述的方法，其中该高频射频步骤的范围从150W～450W。
5.如权利要求3所述的方法，其中通入该硅烷的流量为50sccm～150sccm。
6.如权利要求3所述的方法，其中通入该氨气的流量为500sccm～1500sccm。
7.如权利要求1所述的方法，其中在该具有拉力的掩模层形成之前，该薄膜电阻层具该原始表面电阻值，该原始表面电阻值的范围为600±10欧姆/sq。
8.如权利要求1所述的方法，其中在该具有拉力的掩模层形成之后，该薄膜电阻层具有新表面电阻值，该新表面电阻值的范围为580±10欧姆/sq。
9.如权利要求1所述的方法，还包含有至少一接触元件，穿过该具有拉力的掩模层，并且与该薄膜电阻层电连接。
10.如权利要求1所述的方法，其中该具有拉力的掩模层的拉力范围介于100～500Mpa。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
