[发明专利]版图中金属层缺陷检测方法在审
申请号: | 202011251741.9 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN112258502A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 朱忠华;魏芳;曹云 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 张彦敏 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 版图 金属 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种版图中金属层缺陷检测方法,其特征在于,包括:
S1:设计者完成版图设计;
S2:采用制造者制定的版图设计规则对版图进行常规检查;
S3:判断版图设计规则检查是否通过,若是则进入步骤S4,若否则进入步骤S1;
S4:金属层局部图形密度分析,获得金属层局部图形密度D,包括:
S41:查找金属层区域内n层连续金属层的厚度方向均为氧化物的区域,并获得其中氧化物区域的顶层面积大于S的特定氧化物区域,其中n为大于等于2的自然数;
S42:选取特定氧化物区域的至少一个线段,将该线段的两端延伸获得延长后的线段,将延长后的线段向远离特定氧化物区域侧平移W而获得平移后的线段,由延长后的线段和平移后的线段形成待测密度图形区域;以及
S43:获得待测密度图形区域的金属密度D而获得金属层局部图形密度D;
S5:根据金属层局部图形密度D判断是否存在需要改版图的热点,若是则进入步骤S1,若否则进入步骤S6;
S6:根据金属层局部图形密度D判断是否存在需要优化工艺的热点,若是则进入步骤S7,若否则进入步骤S8;
S7:根据制品检查结果优化工艺程式;以及
S8:版图检查通过。
2.根据权利要求1所述的版图中金属层缺陷检测方法,其特征在于,n的取值为2至8之间的任一值。
3.根据权利要求1所述的版图中金属层缺陷检测方法,其特征在于,S的取值大于2um2。
4.根据权利要求1所述的版图中金属层缺陷检测方法,其特征在于,特定氧化物区域的至少一个线段的两端延长的距离相等。
5.根据权利要求4所述的版图中金属层缺陷检测方法,其特征在于,特定氧化物区域的至少一个线段的两端延长后得到的线段的长度等于W。
6.根据权利要求1或5任一项所述的版图中金属层缺陷检测方法,其特征在于,W的取值介于5um至1000um之间的任一值。
7.根据权利要求1所述的版图中金属层缺陷检测方法,其特征在于,S5为判断D是否高于M,当D高于M则版图中存在需要改版图的热点。
8.根据权利要求7所述的版图中金属层缺陷检测方法,其特征在于,S1还包括在特定氧化物区域中添加冗余图形或降低待测密度图形区域和内金属图形密度。
9.根据权利要求1所述的版图中金属层缺陷检测方法,其特征在于,D的取值介于50%至100%之间任一值。
10.根据权利要求1所述的版图中金属层缺陷检测方法,其特征在于,S6为判断D是否高于E但低于M,若是则存在需要优化工艺的热点。
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