[发明专利]FDSOI的制造方法在审
| 申请号： | 202011251767.3 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112382605A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李中华;陈宇峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | fdsoi 制造 方法 | ||
1.一种FDSOI的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，提供一FDSOI衬底结构，所述FDSOI衬底结构包含硬掩膜层、绝缘体上硅、埋层氧化层和硅衬底；所述埋层氧化层形成于硅衬底表面，所述绝缘体上硅形成于所述埋层氧化层表面，所述硬掩膜层形成于所述绝缘体上硅表面；
步骤二，涂布光刻胶并显影，界定出混合区域；
步骤三，刻蚀去除混合区域的硬掩膜层、绝缘体上硅，并横向去除绝缘体上硅形成沟槽；
步骤四，刻蚀去除混合区域的埋层氧化层；
步骤五，去除光刻胶及刻蚀残余物；
步骤六，在所述混合区域外延生长硅。
2.根据权利要求1所述的FDSOI的制作方法，其特征在于，
所述步骤三中的刻蚀为各向同性刻蚀。
3.根据权利要求1所述的FDSOI的制作方法，其特征在于，
所述步骤一中的硬掩膜层可为氮化硅层或为下层氧化硅和上层氮化硅的组合。
4.根据权利要求1所述的FDSOI的制作方法，其特征在于，
所述步骤三中的所述经过刻蚀后的绝缘体上硅相对于步骤三中刻蚀后的硬掩膜层在水平方向上缩短。
5.根据权利要求4所述的FDSOI的制作方法，其特征在于，
所述缩短距离为50～100A。
6.根据权利要求1所述的FDSOI的制作方法，其特征在于，
所述步骤二中光刻胶包含减反射层。
7.根据权利要求1所述的FDSOI的制作方法，其特征在于，
所述步骤四中混合区域沟槽表面低于埋层氧化硅层底面20～100A。
8.根据权利要求1所述的FDSOI的制作方法，其特征在于，
所述步骤五中光刻胶及刻蚀残余物去除方法为湿法去除或干法与湿法组合去除。
9.根据权利要求1所述的FDSOI的制作方法，其特征在于，
所述步骤六中外延生长后的硅的表面与绝缘体上硅上表面平齐。
10.根据权利要求1所述的FDSOI的制作方法，其特征在于，
所述步骤一中硬掩膜层厚度为100A～500A；绝缘体上硅厚度为100A～200A；埋层氧化层为二氧化硅层，厚度为100-300A。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
