[发明专利]一种WCrSiN超硬涂层及其制备方法有效
申请号: | 202011252080.1 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN112391591B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 杨俊峰;杨红艳;杨瑞芳;张临超;谢卓明;王坤;刘瑞;王先平;吴学邦;方前锋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院;中国核动力研究设计院 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/32;C23C14/34;C23C14/02 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 干桂花 |
地址: | 230000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 wcrsin 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种WCrSiN超硬涂层,其特征在于,包括依次沉积在基体表面的WCrSi打底层和WCrSiN主体层;所述WCrSi打底层的厚度为0.01-0.02μm;
所述WCrSiN主体层的成分为:W 39at%、Cr 8at%、Si 8at%、N 45at%;
所述的WCrSiN超硬涂层的制备方法,包括以下步骤:
S1、安装:将W-Cr-Si靶安装在直流阴极上,基体装入样品台,固定靶材和基体的距离为150mm;
S2、中频偏压清洗:将真空室抽真空至1x10-3pa,然后加热基片至430℃,向真空室通入Ar,控制Ar流量为60sccm,工作气压为2.5Pa;开启中频电源,设定电压为1200V,对基体表面进行清洗;
S3、溅射打底层WCrSi:调节Ar流量为40-60sccm,工作气压为0.40-0.76Pa;设定中频偏压电源电压为600-900V、占空比50%,同时开启W-Cr-Si靶溅射电源,设定电流为40-60A、溅射时间8-15 min,在基体上溅射WCrSi打底层;
S4、溅射主体层WCrSiN:同时向真空室通入Ar和N2,调节Ar流量为5-15sccm,N2流量为20-100sccm,工作气压为0.30-0.76Pa;设定中频偏压电源电压为200V、占空比50%,设定溅射电源电流为90-120A、溅射时间30min,在WCrSi打底层上溅射WCrSiN主体层;
是采用多弧离子镀技术在基体表面依次溅射WCrSi打底层和WCrSiN主体层。
2.根据权利要求1所述的WCrSiN超硬涂层的制备方法,其特征在于,S2中,清洗15-20min。
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