[发明专利]半导体存储装置以及在半导体装置中执行验证动作的方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

存储单元；

位线，连接于所述存储单元；

读出放大器，通过所述位线连接于所述存储单元，且所述读出放大器包含连接于所述位线的感测节点以及具有连接于所述感测节点的栅极的感测晶体管；以及

控制电路，被配置为调节施加到所述感测晶体管的背栅极的电压来修正所述感测晶体管的阈值电压的差异；且

所述控制电路对所述感测晶体管的所述背栅极，在感测所述感测节点时，施加第1电压，并在感测所述感测节点之后，施加低于所述第1电压的第2电压。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述感应晶体管的所述阈值电压的所述差异是由制造差异引起的。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述感应晶体管的所述阈值电压的所述差异是由动作温度差异引起的。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述控制电路对所述感测晶体管的所述背栅极，在验证动作的第1期间内施加所述第1电压，并在所述第1期间之后的所述验证动作的第2期间内施加所述第2电压。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：

在所述第1期间和所述第2期间，所述控制电路对所述感测晶体管的源极施加恒定电压。

6.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

存储单元；

位线，连接于所述存储单元；

读出放大器，通过所述位线连接于所述存储单元，且所述读出放大器包含连接于所述位线的感测节点以及具有连接于所述感测节点的栅极的感测晶体管；以及

控制电路，被配置为调节施加到所述感测晶体管的源极的电压来修正所述感测晶体管的阈值电压的差异；

所述控制电路对所述感测晶体管的所述源极，在验证动作的第1期间内，施加第1电压，并在所述第1期间之后，在所述验证动作的第2期间内、在所述感测节点实施感测动作的期间以及在所述验证动作的第3期间内施加低于所述第1电压的第2电压。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：

所述感应晶体管的所述阈值电压的所述差异是由制造差异引起的。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：

所述感应晶体管的所述阈值电压的所述差异是由动作温度差异引起的。

9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：

在所述第1期间、所述第2期间以及所述第3期间，所述控制电路对所述感测晶体管的背栅极施加恒定电压。

10.一种在半导体装置中执行验证动作的方法，其特征在于：

所述半导体装置包括：

存储单元；

位线，连接于所述存储单元；以及

读出放大器，通过所述位线连接于所述存储单元，且所述读出放大器包含连接于所述位线的感测节点以及具有连接于所述感测节点的栅极的感测晶体管；

所述方法包括：

对所述感测晶体管的背栅极施加第1电压；以及

对所述感测晶体管的源极施加第2电压；且

所述第1及第2电压中的一者被调节以用来修正所述感测晶体管的阈值电压的差异；

所述施加的第1电压在感测所述感测节点时处于第1电平，并在感测所述感测节点之后处于低于所述第1电平的第2电平。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：

所述感应晶体管的所述阈值电压的所述差异是由制造差异引起的。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：

所述感应晶体管的所述阈值电压的所述差异是由动作温度差异引起的。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：

当所述施加的第1电压从所述第1水平下降到所述第2水平时，所述施加的第2电压保持在恒定电平。