[发明专利]恒流电路及半导体装置

权利要求书

1.一种恒流电路，其特征在于，包括：

基准电压生成部，从输出电阻的经选择的分接头位置上生成基准电压，并包括运算放大器，所述运算放大器经设置以使反相输入端子与非反相输入端子的输入电压相同；

基准电流生成部，生成不依存于电源电压的基准电流；以及

温度依存电流生成部，生成具有正的温度系数的温度依存电流；

所述基准电流生成部包含根据所述基准电压来生成负的温度系数的基准电流的第一电路及根据所述温度依存电流来生成正的温度系数的基准电流的第二电路，

所述基准电流生成部对所述负的温度系数的基准电流与所述正的温度系数的基准电流进行合计，由此生成所述基准电流。

2.根据权利要求1所述的恒流电路，其中所述第一电路包含以在输出节点生成所述基准电压的方式运行的单位增益缓冲器及连接在所述输出节点与接地之间的第一路径的电阻，在所述第一路径生成所述负的温度系数的基准电流，

所述第二电路包含与所述第一路径为并联关系的第二路径，在所述第二路径生成所述正的温度系数的基准电流，

所述基准电流通过在所述第一路径中流动的负的温度系数的基准电流与在所述第二路径中流动的正的温度系数的基准电流的合计来生成。

3.根据权利要求2所述的恒流电路，其中所述单位增益缓冲器是包含输入所述基准电压的反相输入端子及与所述输出节点短路的非反相输入端子的运算放大器，

所述第二电路包含在所述第二路径生成所述正的温度系数的基准电流的N沟道金属氧化物半导体型的第一晶体管。

4.根据权利要求3所述的恒流电路，其中所述第一电路包含调整所述负的温度系数的基准电流的大小的第一调整电路。

5.根据权利要求4所述的恒流电路，其中所述第一调整电路调整所述第一路径上的电阻的电阻值。

6.根据权利要求4所述的恒流电路，其中所述第二电路包含调整所述正的温度系数的基准电流的大小的第二调整电路。

7.根据权利要求6所述的恒流电路，其中所述第二调整电路调整在所述第一晶体管中流动的漏极电流。

8.根据权利要求3所述的恒流电路，其中所述温度依存电流生成部包含流动所述温度依存电流的N沟道金属氧化物半导体型的第二晶体管，

所述第一晶体管与所述第二晶体管构成电流镜电路。

9.根据权利要求8所述的恒流电路，其中所述第二电路包含调整所述电流镜电路的镜比的第二调整电路。

10.根据权利要求6所述的恒流电路，其中所述第一调整电路及所述第二调整电路以使所述基准电流的温度系数变成零的方式，调整所述负的温度系数的基准电流及所述正的温度系数的基准电流。

11.根据权利要求6所述的恒流电路，其中所述第一调整电路及所述第二调整电路以使所述基准电流的温度系数变成正或负的方式，调整所述负的温度系数的基准电流及所述正的温度系数的基准电流。

12.根据权利要求1所述的恒流电路，其中所述基准电压生成部包含带隙基准电路，

所述温度依存电流生成部与所述带隙基准电路连接，

所述温度依存电流生成部根据用于在所述带隙基准电路中生成所述基准电压的带隙基准电流，生成所述温度依存电流。

13.根据权利要求12所述的恒流电路，其中所述带隙基准电路包含生成所述带隙基准电流的P沟道金属氧化物半导体型的第三晶体管，

所述温度依存电流生成部包含与所述第三晶体管构成电流镜电路的P沟道金属氧化物半导体型的第四晶体管。

14.一种半导体装置，其特征在于，包括如权利要求1至13中任一项所述的恒流电路。