[发明专利]一种自适应跨阻放大器

权利要求书

1.一种自适应跨阻放大器，其特征在于，包括：第一放大器、第一电阻、第二放大器和第一晶体管；

所述第一放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端；

所述第一电阻的第一端与所述第一放大器的第二输入端电连接，所述第一电阻的第二端与所述第一放大器的输出端电连接；

所述第二放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端；所述第二放大器的第一输输入端与所述第一电阻的第一端电连接，所述第二放大器的第二输入端与所述第一电阻的第二端电连接；

所述第一晶体管的栅极与所述第二放大器的输出端电连接，所述第一晶体管的第二极接入电源信号；所述第一晶体管的第一极与所述第一放大器的第二输入端电连接；所述第二放大器和所述第一晶体管用于消除所述第一放大器的输入信号中的干扰信号。

2.根据权利要求1所述的自适应跨阻放大器，其特征在于，所述第二放大器还包括偏置控制端；

所述自适应跨阻放大器还包括：带宽调节模块；

所述带宽调节模块包括输入端和输出端；所述带宽调节模块的输入端与所述第二放大器的输出端电连接，所述带宽调节模块的输出端与所述第二放大器的偏置控制端电连接；

所述带宽调节模块用于根据所述第二放大器的输出信号调节所述第二放大器的带宽。

3.根据权利要求2所述的自适应跨阻放大器，其特征在于，所述带宽调节模块包括：第二晶体管、第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜和第一电流源；

所述第二晶体管的栅极为所述带宽调节模块的输入端，所述第二晶体管的第二极接入所述电源信号；

所述第一电流镜的输入端与所述第二晶体管的第一极电连接，所述第一电流镜的输出端与所述第二电流镜的输入端电连接；

所述第二电流镜的输入端与所述第一电流源的输出端电连接，所述第一电流源的输入端接入所述电源电压；

所述第三电流镜的输入端与所述第二电流镜的输出端电连接，所述第三电流镜的输出端为所述带宽调节模块的输出端。

4.根据权利要求3所述的自适应跨阻放大器，其特征在于，所述带宽调节模块还包括第二电阻；所述第二电阻的第一端接入所述电源信号，所述第二电阻的第二端与所述第二晶体管的第二极电连接。

5.根据权利要求3所述的自适应跨阻放大器，其特征在于，所述第一电流镜包括第三晶体管和第四晶体管；所述第三晶体管的第一极为所述第一电流镜的输入端，所述第三晶体管的栅极分别与所述第三晶体管的第一极和所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的第二极接地；所述第四晶体管的第二极接地，所述第四晶体管的第一极为所述第一电流镜的输出端；

所述第二电流镜包括第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管的第一极为所述第二电流镜的输入端，所述第五晶体管的栅极分别与所述第五晶体管的第一极和所述第六晶体管的栅极电连接，所述第五晶体管的第二极接地；所述第六晶体管的第二极接地，所述第六晶体管的第一极为所述第二电流镜的输出端；

所述第三电流镜包括第七晶体管和第八晶体管；所述第七晶体管的第一极为所述第三电流镜的输入端，所述第七晶体管的栅极分别与所述第七晶体管的第一极和所述第八晶体管的栅极电连接，所述第七晶体管的第二极接地；所述第八晶体管的第二极接地，所述第八晶体管的第一极为所述第三电流镜的输出端。

6.根据权利要求3所述的自适应跨阻放大器，其特征在于，所述第一晶体管的放大倍数为所述第二晶体管的放大倍数的N倍；其中，N大于1。

7.根据权利要求1所述的自适应跨阻放大器，其特征在于，还包括：输入模块；所述输入模块的输出端与所述第一放大器的第二输入端电连接。

8.根据权利要求7所述的自适应跨阻放大器，其特征在于，所述输入模块包括：光电二极管；所述光电二极管的正极接地，所述光电二极管的负极为所述输入模块的输出端。

9.根据权利要求1所述的自适应跨阻放大器，其特征在于，还包括：第三电阻；所述第三电阻的第一端接入所述电源电压，所述第三电阻的第二端与所述第一晶体管的第二极电连接。

10.根据权利要求1所述的自适应跨阻放大器，其特征在于，所述第一晶体管为PMOS晶体管。