[发明专利]用于封闭气隙结构中的接缝的双电介质层

权利要求书

1.一种结构，包括：

气隙结构，其包括：

开口，其位于相邻导体之间的第一电介质层中；

非保形电介质层，其位于所述开口上方，所述非保形电介质层封闭所述开口的端部；

接缝，其位于所述开口的所述端部上方的所述非保形电介质层中；以及

保形电介质层，其位于所述非保形电介质层上方，所述保形电介质层被构造为密封所述非保形电介质层中的所述接缝并且没有布线；以及

布线层，其位于所述气隙结构上方。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述非保形电介质层包括基于硅烷的二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的结构，其中所述保形电介质层包括以下一者：基于原硅酸四乙酯(TEOS)的二氧化硅和基于氟化TEOS(FTEOS)的二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的结构，其中所述接缝的长度在100至160纳米之间。

5.根据权利要求1所述的结构，其中所述保形电介质层包括碳(C)。

6.根据权利要求1所述的结构，其中所述气隙结构的所述开口中没有所述非保形电介质层。

7.根据权利要求1所述的结构，其中所述非保形电介质层的厚度在2100至2300埃之间，并且所述保形电介质层的厚度在2100至2300埃之间。

8.根据权利要求1所述的结构，其中所述布线层的下表面与所述气隙结构的密封点相隔所述保形电介质层的至少一部分。

9.一种结构，包括：

气隙结构，其包括：

开口，其位于相邻导体之间的第一电介质层中；

非保形电介质层，其位于所述开口上方，所述非保形电介质层使所述开口的端部变窄但不密封所述开口；以及

保形电介质层，其位于所述非保形电介质层上，所述保形电介质层被构造为密封所述开口的所述端部；以及

布线层，其位于气隙结构上方。

10.根据权利要求9所述的结构，其中所述非保形电介质层包括基于硅烷的二氧化硅。

11.根据权利要求9所述的结构，其中所述保形电介质层包括以下一者：基于原硅酸四乙酯(TEOS)的二氧化硅和基于氟化TEOS(FTEOS)的二氧化硅。

12.根据权利要求9所述的结构，其中所述保形电介质层包括碳(C)。

13.根据权利要求9所述的结构，其中所述气隙结构的所述开口中没有所述非保形电介质层。

14.根据权利要求9所述的结构，其中所述非保形电介质层的厚度在2100至2300埃之间，并且所述保形电介质层的厚度在2100至2300埃之间。

15.根据权利要求9所述的结构，其中所述布线层的下表面与所述气隙结构的密封点相隔所述保形电介质层的至少一部分。

16.一种方法，包括：

形成气隙结构，其包括：

在相邻导体之间的第一电介质层中形成开口；

在所述开口上方形成非保形电介质层至以下之一：在密封所述开口之前停止，以使所述开口的端部保持打开，以及封闭所述开口的所述端部，从而在所述开口的所述端部上方的所述非保形电介质层中形成接缝；

在所述非保形电介质层上形成保形电介质层至以下之一：

在所述端部保持打开的情况下，密封所述开口的所述端部以形成所述气隙结构，以及

在所述非保形电介质层中形成所述接缝的情况下，密封所述非保形电介质层中的所述接缝以形成所述气隙结构，

其中所述保形电介质层没有布线；以及

在所述气隙结构上方形成布线层。