[发明专利]一种高质量碳化硅单晶的制备方法及碳化硅单晶有效
| 申请号： | 202011255128.4 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112481699B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 杨晓俐;许晓林;王宗玉 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 刘晓佳 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 碳化硅 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高品质碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
向坩埚中提供长晶原料，并加热所述长晶原料以制得碳化硅单晶；
所述长晶原料包括由坩埚底部向上依次铺设的第一碳化硅粉料层、碳粉层和第二碳化硅粉料层；
所述碳粉层由碳粉颗粒铺设制成，所述碳粉颗粒的粒径为150～300目；
所述碳粉层的顶部料面与所述长晶原料的顶部料面之间的距离，占所述长晶原料总厚度的(1/10)～(3/10)；
所述碳粉层与所述第一碳化硅粉料层的铺料厚度比为(5～20)：(55～85)；
第一碳化硅粉料层和位于碳粉层上方的第二碳化硅粉料层采用相同粒径的碳化硅粉料；
所述第一碳化硅粉料层的碳化硅粉料粒度为200～1000μm；
所述第二碳化硅粉料层的碳化硅粉料粒度为200～1000μm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚是石墨坩埚。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述方法包括利用PVT法加热长晶原料进行长晶，以制得碳化硅单晶的步骤。
4.根据权利要求3的制备方法，其特征在于，所述利用PVT法加热长晶原料进行长晶的步骤具体如下：在长晶炉内的压力为8～10mbar、温度为2200℃～2400℃的条件下长晶80～120h。
5.一种碳化硅单晶，其特征在于，由如权利要求1-4任一所述的制备方法制备获得。
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