[发明专利]一种单晶硅表面氧化层低温去除的方法在审
| 申请号： | 202011255849.5 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112382561A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 熊敏;董旭;朱杰 | 申请（专利权）人： | 苏州镓港半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 苏州启华专利代理事务所(普通合伙) 32357 | 代理人： | 徐伟华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 表面 氧化 低温 去除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅表面氧化层低温去除的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，在MOCVD系统中装载硅衬底，在反应室压力小于100mabr、氢气气氛下加热至400-600℃，而后通入Ga的金属有机源气直至在硅衬底表面沉积1-5个单原子层厚的金属Ga为止；
步骤二，在氢气气氛下，MOCVD系统温度加热至700℃上，使硅衬底表面的SiO2与金属Ga发生化学反应，至金属Ga转变成易挥发的Ga2O从硅衬底表面脱附为止；
步骤三，调节系统反应温度至600-750℃范围内，进行GaAs或InP薄膜的外延生长。
2.根据权利要求1所述的单晶硅表面氧化层低温去除的方法，其特征在于，所述的硅衬底为外延级硅晶圆。
3.根据权利要求1所述的单晶硅表面氧化层低温去除的方法，其特征在于，步骤二中，加热温度控制在750-850℃间。
4.根据权利要求1所述的单晶硅表面氧化层低温去除的方法，其特征在于，步骤一中，金属Ga的沉积厚度为2个单原子层。
5.根据权利要求1所述的单晶硅表面氧化层低温去除的方法，其特征在于，步骤一中，反应室压力控制在10-300mbar范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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