[发明专利]超声扫描设备及超声扫描方法

权利要求书

1.一种超声扫描设备，用于探测半导体元器件，包括有超声探头，所述超声探头与所述半导体元器件间隔设置，其特征在于，还包括有低声阻固定构件，所述超声探头在其靠近所述半导体元器件的一端处以面接触的固定方式设置有所述低声阻固体构件，所述低声阻固体构件未与所述超声探头接触的一端设置为与所述半导体元器件表面直接抵靠的接触端。

2.根据权利要求1所述的超声扫描设备，其特征在于，所述低声阻固定构件的接触端为接触面，其与所述半导体元器件表面之间为面接触，所述低声阻构件为圆柱体、圆台或多棱台的其中一种，所述多棱台的棱数大于等于4。

3.根据权利要求1所述的超声扫描设备，其特征在于，所述低声阻固定构件的接触端为接触点，其与所述半导体元器件表面之间为点接触，所述低声阻构件为圆锥体或多棱锥，所述多棱锥的棱数大于等于3。

4.根据权利要求2所述的超声扫描设备，其特征在于，所述低声阻固体构件为圆柱或圆台时，所述接触面的直径大于所述超声探头的聚焦宽度小于所述半导体元器件的最短边长。

5.根据权利要求1所述的超声扫描设备，其特征在于，所述低声阻固体的长度、所述超声探头的聚焦长度和所述半导体元器件的厚度具有下述关系：

h＝F-H(C₁/C₂)

其中，h表示低声阻固体的长度，F表示超声探头的聚焦长度，H表示半导体元器件的厚度。

6.根据权利要求5所述的超声扫描设备，其特征在于，所述超声探头的聚焦长度、所述低声阻固体构件长度之和等于所述待探测半导体元器件的厚度0.8倍至1.34倍。

7.根据权利要求1所述的超声扫描设备，其特征在于，所述低声阻固定构件的材质采用金属材料、无机非金属材料或有机高分子材料。

8.根据权利要求1所述的超声扫描设备，其特征在于，所述低声阻固体构件与所述超声探头之间设有弹性套管，所述超声探头和所述低声阻固体构件分别以过盈配合的方式嵌设在弹性套管内并相互接触。

9.一种采用权利要求1所述的超声扫描设备的超声扫描方法，其特征在于，包括：

将所述半导体元器件固定在工作平台上，并以待扫描面朝向超声探头方向放置；

在所述超声探头的前端安装所述低声阻固体构件，并将所述低声阻固体构件的接触端与所述半导体元器件的待扫描面直接接触；

调节所述超声扫描设备参数开始扫描，获取图像。

10.根据权利要求9所述的超声扫描方法，其特征在于，在所述超声探头的前端安装所述低声阻固体构件包括：准备弹性套管，将所述超声探头和所述低声阻固体构件分别以过盈配合的方式嵌设在弹性套管内并以面接触的方式相互抵靠。