[发明专利]用于电压电源低压检测的集成电路

权利要求书

1.一种用于电压电源低压检测的集成电路，包括：

带隙基准电路，与电源端子耦合以接收电源电压并且基于所述电源电压来输出带隙基准电压，所述带隙基准电压在所述电源电压大于第一阈值的情况下具有预定值并且响应于所述电源电压低于所述第一阈值从所述预定值处降低；

存储电路，与所述带隙基准电路耦合，以用于存储来自所述带隙基准电路的参考电压，所述参考电压等于所述预定值；以及

比较器，耦合至所述带隙基准电路和所述存储电路，以比较所述带隙基准电压和所述参考电压，所述比较器响应于所述带隙基准电压低于所述参考电压，产生指示所述电源电压的低压状态的报警信号，其中存储电路与所述带隙基准电路耦合包括：

所述存储电路通过可变电阻器与所述带隙基准电路耦合，

其中所述可变电阻器与所述电源端子耦合，并且所述可变电阻器被配置为响应于所述电源电压的降低而增加其电阻，以断开所述存储电路和所述带隙基准电路之间的电耦合，以及

所述存储电路被配置为响应于电耦合的断开而存储所述参考电压。

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

偏置电路，所述偏置电路耦合在所述电源端子和所述可变电阻器之间，并且基于所述电源电压来产生用于改变所述可变电阻器的电阻的偏置电压，

其中，所述偏置电路被配置为响应于所述电源电压降低到第二阈值而降低所述偏置电压，所述第二阈值大于所述第一阈值，

所述可变电阻器被配置为响应于所述偏置电压的降低而增加其电阻，以及

所述存储电路被配置为响应于所述可变电阻器的电阻的增大而自动地存储所述参考电压。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述偏置电路还被耦合到所述带隙基准电路，以使得所述偏置电压与所述带隙基准电压相关联。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述存储电路还通过开关与所述带隙基准电路耦合，并且所述开关与所述报警信号耦合以响应于所述报警信号的产生而被关断。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述比较器具有固有的失调电压，

其中，所述比较器被配置为响应于所述参考电压高于所述带隙基准电压和所述固有的失调电压之和，产生所述报警信号。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述带隙基准电路包括串联连接的正温度电流源、电阻器和双极晶体管，以及

所述带隙基准电路在所述正温度电流源与所述电阻器之间的节点处输出所述带隙基准电压。

7.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述偏置电路包括1倍缓冲器、第一MOS管和电流源，其中

所述1倍缓冲器的输入端耦合至所述带隙基准电路以接收所述带隙基准电压，并且所述1倍缓冲器的输出端耦合到所述第一MOS管的源极，

所述电流源耦合在所述电源端子与所述第一MOS管的漏极之间，以及

所述第一MOS管的漏极与栅极耦合以输出所述偏置电压。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述存储电路包括电容器，所述电容器被配置为存储所述参考电压。

9.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述可变电阻器包括第二MOS管，所述第二MOS管的栅极耦合至所述偏置电路以接收所述偏置电压。

10.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述第二阈值等于所述预定值和所述第一MOS管的驱动电压之和，且比所述第一阈值高至少200mV。

11.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述开关包括第三MOS管。