[发明专利]光刻胶的处理方法及自对准双图案化方法

权利要求书

1.一种光刻胶的处理方法，其特征在于，所述光刻胶设于掩模材料层上，所述掩模材料层设于目标刻蚀层上，所述处理方法包括：

对所述光刻胶显影，以在所述掩模材料层上形成图形化的光刻胶层，以及形成位于所述光刻胶层的表面上的副产物；

对所述光刻胶层进行等离子体处理，使所述光刻胶层硬化。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行等离子体处理时的温度小于或者等于100℃。

3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述等离子体为含氧的等离子体。

4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述等离子体的流量大于或者等于10000sccm。

5.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，在对所述光刻胶显影的步骤之后，在对所述光刻胶层进行等离子体处理的步骤之前，所述处理方法还包括：

对图形化的所述光刻胶层进行烘焙，使所述光刻胶层固化。

6.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，对图形化的所述光刻胶层进行烘焙时的烘焙温度小于或者等于90℃。

7.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，等离子体处理后的所述光刻胶层的尺寸与等离子处理前的所述光刻胶层的尺寸之比小于1。

8.一种自对准双图案化方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供目标刻蚀层；

在所述目标刻蚀层上形成依次堆叠的掩模材料层和光刻胶；

对所述光刻胶显影，以在所述掩模材料层上形成图形化的光刻胶层，以及形成位于所述光刻胶层的表面上的副产物；

对所述光刻胶层进行等离子体处理，使所述光刻胶层硬化；

以等离子体处理后的所述光刻胶层为掩膜对所述掩模材料层进行刻蚀，形成具有自对准双图案的掩膜层。

9.根据权利要求8所述的自对准双图案化方法，其特征在于，以等离子体处理后的所述光刻胶层为掩膜对所述掩模材料层进行刻蚀，形成具有自对准双图案的掩膜层的步骤包括：

在所述掩膜材料层上形成侧墙材料层，去除部分所述掩膜材料层和所述侧墙材料层，保留去除前位于所述掩膜材料层侧面的所述侧墙材料层，保留下来的所述侧墙材料层具有自对准双图案。

10.根据权利要求8或9所述的自对准双图案化方法，其特征在于，所述掩模材料层包括依次堆叠的第一硬掩模板层、第一防反射层、第二硬掩模板层和第二防反射层，所述第一硬掩模板层靠近所述目标刻蚀层；

以等离子体处理后的所述光刻胶层为掩膜对所述掩模材料层进行刻蚀，形成具有自对准双图案的掩膜层的步骤包括：

以等离子体处理后的所述光刻胶层为掩膜，去除部分所述第二防反射层和所述第二硬掩模板层，保留被所述光刻胶层覆盖的所述第二防反射层和所述第二硬掩模板层，保留下来的所述第二防反射层和所述第二硬掩模板层形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成侧墙材料层，去除部分所述牺牲层和所述侧墙材料层，保留去除前位于所述牺牲层侧面的所述侧墙材料层，保留下来的所述侧墙材料层形成侧墙；

以所述侧墙为掩膜，去除部分所述第一防反射层和所述第一硬掩模板层，保留被所述侧墙覆盖的所述第一硬掩模板层，保留下来的所述第一硬掩模板层形成具有自对准双图案的掩膜层。

11.根据权利要求10所述的自对准双图案化方法，其特征在于，所述第一防反射层和所述第二防反射层为氮氧化硅层，所述侧墙材料层为氧化物层。