[发明专利]一种用于干燥晶圆的方法及干燥设备在审
| 申请号： | 202011257946.8 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114496719A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 尹洪权;卢一泓;胡艳鹏;李琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 干燥 方法 干燥设备 | ||
1.一种用于干燥晶圆的方法，其特征在于，应用在干燥设备中，所述干燥设备中设置有至少两个异丙醇IPA喷头；所述方法包括：
调节每个所述IPA喷头对应的喷洒角度及喷洒位置；各所述喷洒角度及各所述喷洒位置用于对所述晶圆表面的不同区域进行喷洒；
当对所述晶圆进行清洗或湿法腐蚀后，控制至少两个所述IPA喷头开启，利用喷洒的所述IPA对所述晶圆进行干燥。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在利用喷洒的所述IPA对所述晶圆进行干燥时，控制所述晶圆的旋转速度为5～4000rpm。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在利用喷洒的所述IPA对所述晶圆进行干燥时，控制每个所述IPA喷头喷洒的IPA流量为10cc/min～1L/min。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在利用喷洒的所述IPA对所述晶圆进行干燥时，控制所述IPA的温度为20～80℃。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在利用喷洒的所述IPA对所述晶圆进行干燥时，所述IPA的温度范围为70～76℃。
6.一种用于干燥晶圆的干燥设备，其特征在于，所述干燥设备中设置有至少两个异丙醇IPA喷头，所述干燥设备包括：
调节单元，用于调节每个所述IPA喷头对应的喷洒角度及喷洒位置；各所述喷洒角度及各所述喷洒位置用于对所述晶圆表面的不同区域进行喷洒；
第一控制单元，当对所述晶圆进行清洗或湿法腐蚀后，控制至少两个所述IPA喷头开启，利用喷洒的所述IPA对所述晶圆进行干燥。
7.如权利要求6所述的干燥设备，其特征在于，所述干燥设备还包括：第二控制单元，所述第二控制单元用于：
在利用喷洒的所述IPA对所述晶圆进行干燥时，控制所述晶圆的旋转速度为5～4000rpm。
8.如权利要求6所述的干燥设备，其特征在于，所述控制单元还用于：
在利用喷洒的所述IPA对所述晶圆进行干燥时，控制每个所述IPA喷头喷洒的IPA流量为10cc/min～1L/min。
9.如权利要求6所述的干燥设备，其特征在于，所述控制单元还用于：
在利用喷洒的所述IPA对所述晶圆进行干燥时，控制所述IPA的温度为20～80℃。
10.如权利要求9所述的干燥设备，其特征在于，所述控制单元具体还用于：
在利用喷洒的所述IPA对所述晶圆进行干燥时，控制所述IPA的温度范围为70～76℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
