[发明专利]用于填充高深宽比深孔的兆声波辅助薄膜沉积设备及方法有效
申请号: | 202011258275.7 | 申请日: | 2020-11-12 |
公开(公告)号: | CN112103222B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 宋维聪;周云;严俊;崔世甲 | 申请(专利权)人: | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/768;C23C14/22;C23C16/44 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 填充 高深 声波 辅助 薄膜 沉积 设备 方法 | ||
1.用于填充高深宽比深孔的兆声波辅助薄膜沉积设备,用于填充深宽比大于5的深孔,其特征在于,包括:腔体、基座、支撑轴、兆声波换能器、兆声波传递层及兆声波隔绝密封环;所述基座、兆声波换能器及兆声波传递层均位于所述腔体内,且基座、兆声波换能器及兆声波传递层的中心点位于同一垂线上;所述兆声波换能器位于所述基座内,所述兆声波传递层贴置于所述兆声波换能器的上表面,待沉积的晶圆位于所述兆声波传递层的上方;所述支撑轴与所述基座相连接,且自所述腔体内部延伸到腔体外部;所述兆声波隔绝密封环位于所述腔体与所述支撑轴之间,以在实现腔体密封的同时避免兆声波传递到所述腔体上。
2.根据权利要求1所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述兆声波换能器包括磁力换能器和压电换能器中的一种或两种。
3.根据权利要求1所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述兆声波传递层包括静电吸盘,待沉积的晶圆贴置于所述静电吸盘的上表面,所述静电吸盘上设置有静电吸附孔。
4.根据权利要求1所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述兆声波传递层包括圆形基板及位于所述圆形基板表面的保护层,待沉积的晶圆贴置于所述保护层的上表面,所述支撑轴穿过所述兆声波换能器和所述圆形基板。
5.根据权利要求4所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述圆形基板的周向边缘设置有凸台,所述凸台上设置有密封圈。
6.根据权利要求1所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述兆声波隔绝密封环的材料包括防腐橡胶、硅胶、沥青和吸音棉中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述兆声波辅助薄膜沉积设备包括CVD设备和PVD设备中的一种。
8.根据权利要求1-7任一项所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述基座的边缘周向上均匀分布有向所述基座内侧凹进的多个凹口,所述多个凹口上下贯穿所述基座;所述兆声波辅助薄膜沉积设备还包括多个校正柱,所述多个校正柱一一对应设置于所述凹口内,且所述校正柱与所述支撑轴相平行,所述校正柱的顶面具有倾斜导向面,当晶圆被所述多个校正柱支撑时,晶圆的边缘与所述倾斜导向面相接触。
9.一种兆声波辅助薄膜沉积方法,其特征在于,所述兆声波辅助薄膜沉积方法依权利要求1-8任一项所述的兆声波辅助薄膜沉积设备进行,在薄膜沉积过程中,将兆声波能量均匀传递到待沉积的晶圆上,以辅助完成晶圆上的深孔填充。
10.根据权利要求9所述的兆声波辅助薄膜沉积方法,其特征在于,所述兆声波辅助薄膜沉积方法还包括在薄膜沉积过程中,向晶圆表面供应惰性气体,通过所述惰性气体将兆声波能量均匀传递到待沉积的晶圆上,以辅助完成晶圆上的深孔填充。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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