[发明专利]用于填充高深宽比深孔的兆声波辅助薄膜沉积设备及方法有效

专利信息
申请号: 202011258275.7 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN112103222B 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 宋维聪;周云;严俊;崔世甲 申请(专利权)人: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/768;C23C14/22;C23C16/44
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 填充 高深 声波 辅助 薄膜 沉积 设备 方法
【权利要求书】:

1.用于填充高深宽比深孔的兆声波辅助薄膜沉积设备,用于填充深宽比大于5的深孔,其特征在于,包括:腔体、基座、支撑轴、兆声波换能器、兆声波传递层及兆声波隔绝密封环;所述基座、兆声波换能器及兆声波传递层均位于所述腔体内,且基座、兆声波换能器及兆声波传递层的中心点位于同一垂线上;所述兆声波换能器位于所述基座内,所述兆声波传递层贴置于所述兆声波换能器的上表面,待沉积的晶圆位于所述兆声波传递层的上方;所述支撑轴与所述基座相连接,且自所述腔体内部延伸到腔体外部;所述兆声波隔绝密封环位于所述腔体与所述支撑轴之间,以在实现腔体密封的同时避免兆声波传递到所述腔体上。

2.根据权利要求1所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述兆声波换能器包括磁力换能器和压电换能器中的一种或两种。

3.根据权利要求1所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述兆声波传递层包括静电吸盘,待沉积的晶圆贴置于所述静电吸盘的上表面,所述静电吸盘上设置有静电吸附孔。

4.根据权利要求1所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述兆声波传递层包括圆形基板及位于所述圆形基板表面的保护层,待沉积的晶圆贴置于所述保护层的上表面,所述支撑轴穿过所述兆声波换能器和所述圆形基板。

5.根据权利要求4所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述圆形基板的周向边缘设置有凸台,所述凸台上设置有密封圈。

6.根据权利要求1所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述兆声波隔绝密封环的材料包括防腐橡胶、硅胶、沥青和吸音棉中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述兆声波辅助薄膜沉积设备包括CVD设备和PVD设备中的一种。

8.根据权利要求1-7任一项所述的兆声波辅助薄膜沉积设备,其特征在于:所述基座的边缘周向上均匀分布有向所述基座内侧凹进的多个凹口,所述多个凹口上下贯穿所述基座;所述兆声波辅助薄膜沉积设备还包括多个校正柱,所述多个校正柱一一对应设置于所述凹口内,且所述校正柱与所述支撑轴相平行,所述校正柱的顶面具有倾斜导向面,当晶圆被所述多个校正柱支撑时,晶圆的边缘与所述倾斜导向面相接触。

9.一种兆声波辅助薄膜沉积方法,其特征在于,所述兆声波辅助薄膜沉积方法依权利要求1-8任一项所述的兆声波辅助薄膜沉积设备进行,在薄膜沉积过程中,将兆声波能量均匀传递到待沉积的晶圆上,以辅助完成晶圆上的深孔填充。

10.根据权利要求9所述的兆声波辅助薄膜沉积方法,其特征在于,所述兆声波辅助薄膜沉积方法还包括在薄膜沉积过程中,向晶圆表面供应惰性气体,通过所述惰性气体将兆声波能量均匀传递到待沉积的晶圆上,以辅助完成晶圆上的深孔填充。

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