[发明专利]一种空穴传输材料及其合成方法在审

专利信息
申请号: 202011258712.5 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN112266380A 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 冯俊阳;高晓波;王敏强 申请(专利权)人: 冯俊阳
主分类号: C07D409/14 分类号: C07D409/14;C07D417/14;H01L51/46;H01L51/42
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310012 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 空穴 传输 材料 及其 合成 方法
【说明书】:

一种空穴传输材料,其结构式如式I所示:本发明所制备的空穴传输材料具有低的HOMO能级,有利于提高太阳能电池的开路电压,从而进一步改善光电转化效率;本发明的空穴传输材料为小分子材料,具有较强的π‑π相互作用,平面性较好,有利于电荷的传输,其次引入含硫原子的噻吩基团,能够有效提高空穴迁移率。

技术领域

本发明属于光电转换技术领域,具体涉及一种空穴传输材料及其合成方法。

背景技术

钙钛矿太阳能电池(PSCs)近些年发展迅速,因为它具有独特的光电特性,制备工艺简单,成本较低等特点成为科研人员的研究重点。而空穴传输材料 (HTMs)作为钙钛矿太阳能电池结构中的重要组成部分,制约着器件的性能。

固态空穴传输材料主要包括:无机半导体、聚合物和有机小分子。在钙钛矿太阳能电池中无机空穴传输材料获得了良好转化效率,具有高的迁移率和低的成本,例如常用到的CuI、CuSCN和NiO,但是由于沉积的溶液使钙钛矿部分溶解导致器件稳定性下降。由于聚合物空穴传输材料它具有良好的成膜性和较高的空穴迁移率,所以引起了广泛的关注。最常用的有聚三苯胺(PATT)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)等,但是它们的缺点是提纯工艺复杂,溶解度较低,分子量未定,表征难,不易渗透到纳米材料中去,因此不适合于大面积使用。

发明内容

针对上述聚合物空穴传输材料中存在的问题,本发明的目的在于提供一种空穴传输材料及其合成方法。

为了达到上述目的,本发明采用如下技术手段:

一种空穴传输材料,其结构式如式I所示:

式I。

其中,R’、R”分别选自氢原子、C1-C4的烷基中的一种;

其中,R选自以下R1-R6基团中的一种:

其中*为连接位置。

优选的,其为下列化合物中的一种:

所述的空穴传输材料的合成路线如下:

步骤一:

步骤二:

步骤三:

步骤四:

所述的空穴传输材料的合成方法,包括如下步骤:

步骤一:将3,6-二溴咔唑,2-噻吩硼酸,K2CO3溶液和Pd(PPh3)4加入到1,4- 二氧六环中;在氩气条件下回流反应12h;反应完成后放置至室温,在反应液中加水,然后用CH2Cl2将有机物萃取;有机层用无水Na2SO4干燥,然后蒸干溶剂;粗品柱层析(PE/EA=50:1)纯化,得到中间体I;

步骤二:将中间体I,2,8-二溴二苯并噻吩,CuI和Cs2CO3加入到DMF中,在氩气条件下回流14h;反应结束后,将反应后混合物里的催化剂过滤掉,然后蒸发溶剂,蒸干后的混合物通过硅胶柱层析(PE/EA=450:1)纯化,得到中间体II;

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