[发明专利]半导体氮化钝化方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在半导体制造工艺中对晶片上的半导体结构执行干式蚀刻工艺；

对所述半导体结构执行干式剥离工艺；

对所述半导体结构执行第一湿式剥离清洁工艺；

对所述半导体结构执行第二湿式剥离清洁工艺；

对所述半导体结构执行氮化钝化以避免所述半导体结构的氧化；及

对所述半导体结构执行间隔物材料沉积。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括由氧化物材料形成所述间隔物材料沉积。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括由硅酸盐材料形成所述半导体结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括通过执行所述氮化钝化来保护所述硅酸盐材料免于氧化。

5.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括氮化由所述硅酸盐材料形成在半导体支柱之间的残留物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述间隔物沉积包含在所述半导体结构上形成隔离层。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括形成到感测线接触件的导电路径。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括将所述感测线接触件的电阻率改进达介于4％到15％之间的范围。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述半导体结构形成为介于100埃与800埃之间的范围的高度。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述半导体结构形成为介于50埃与150埃之间的范围的宽度。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括形成所述间隔物材料沉积以包含分子氢H₂。

12.一种方法，其包括：

在半导体制造工艺中对晶片上的半导体结构进行干式蚀刻工艺；

对所述半导体结构进行干式剥离工艺；

对所述半导体结构进行第一湿式剥离清洁工艺；

对所述半导体结构进行氮化钝化以避免所述半导体结构的氧化；

对所述半导体结构进行第二湿式剥离清洁工艺；及

对所述半导体结构进行间隔物材料沉积。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括执行所述氮化钝化以保护所述半导体结构免于原生氧化。

14.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括使保护所述半导体结构免于短路改进达介于40％到80％之间的范围。

15.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括用等离子体形成所述干式蚀刻工艺及所述干式剥离工艺。

16.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括由二氮烯等离子体形成所述干式蚀刻剥离清洁工艺。

17.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括由远程等离子体氮化RPN形成所述氮化钝化。

18.一种方法，其包括：

在半导体制造工艺中对晶片上的半导体结构执行：等离子体干式蚀刻工艺、等离子体干式剥离工艺、第一氮化钝化、第一湿式剥离清洁工艺、第二氮化钝化及第二湿式剥离清洁工艺；及

对所述半导体结构执行间隔物材料沉积。

19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括由非导电材料形成所述间隔物材料沉积。