[发明专利]动态随机存取存储器的刷新方法及内存控制器、电子装置在审

专利信息
申请号: 202011259736.2 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN112382321A 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 谭龙生;吴峰;曾峰 申请(专利权)人: 海光信息技术股份有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 300392 天津市华苑产业区*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 刷新 方法 内存 控制器 电子 装置
【说明书】:

一种用于动态随机存取存储器的刷新方法及内存控制器、电子装置。动态随机存取存储器包括多个存储队列,每个存储队列包括多个区块组,每个区块组包括多个区块。该方法包括:确定多个存储队列对应的多个状态机的状态;确定多个存储队列对应的多个预测地址;基于多个状态机的状态、多个预测地址以及错误监测和擦洗计数器的数值,生成刷新请求,并将刷新请求发送给仲裁器,以使得仲裁器对刷新请求进行仲裁,并且响应于刷新请求赢得仲裁,将刷新请求发送给动态随机存取存储器以用于实现刷新。刷新请求包括全区块刷新请求、同区块刷新请求、全区块刷新管理刷新请求和同区块刷新管理刷新请求。该方法可以实现混合刷新,兼顾刷新、数据安全和内存带宽。

技术领域

本公开的实施例涉及一种动态随机存取存储器的刷新方法及内存控制器、电子装置。

背景技术

计算机系统通常会采用动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)作为系统的主存储器(或称为内存)。DRAM具有较高的密度和低廉的价格,因此广泛应用于计算机系统中。DRAM是一种半导体存储器,主要的工作原理是利用电容来存储数据,以电容内存储电荷的多寡来表示二进制比特(bit)为“0”或“1”。

发明内容

本公开至少一个实施例提供一种用于动态随机存取存储器的刷新方法,其中,所述动态随机存取存储器包括多个存储队列,每个存储队列包括多个区块组,每个区块组包括多个区块,所述方法包括:确定所述多个存储队列对应的多个状态机的状态,其中,所述多个存储队列与所述多个状态机一一对应;确定所述多个存储队列对应的多个预测地址;基于所述多个状态机的状态、所述多个预测地址以及错误监测和擦洗计数器的数值,生成刷新请求,并将所述刷新请求发送给与所述动态随机存取存储器连接的仲裁器,以使得所述仲裁器对所述刷新请求进行仲裁,并且响应于所述刷新请求赢得仲裁,将所述刷新请求发送给所述动态随机存取存储器,以用于实现所述动态随机存取存储器的刷新;其中,所述刷新请求包括全区块刷新请求、同区块刷新请求、全区块刷新管理刷新请求和同区块刷新管理刷新请求。

例如,在本公开一实施例提供的方法中,确定所述多个存储队列对应的多个状态机的状态包括:对于每个状态机,根据推迟刷新计数器的数值、刷新管理指示、自刷新进入请求以及自刷新退出命令,确定所述状态机的状态。

例如,在本公开一实施例提供的方法中,所述状态机包括7种状态:第一优先级状态、刷新管理状态、第一冲刷状态、第二优先级状态、第二冲刷状态、自刷新状态和自刷新退出状态,所述第一优先级状态、所述刷新管理状态和所述第一冲刷状态的优先级为第一等级,所述第二优先级状态和所述第二冲刷状态的优先级为第二等级,所述第一等级高于所述第二等级。

例如,在本公开一实施例提供的方法中,对于每个状态机,根据所述推迟刷新计数器的数值、所述刷新管理指示、所述自刷新进入请求以及所述自刷新退出命令,确定所述状态机的状态,包括:响应于所述推迟刷新计数器的数值大于或等于阈值,使所述状态机进入所述第一优先级状态;响应于所述推迟刷新计数器的数值小于所述阈值,使所述状态机进入所述第二优先级状态;响应于接收到所述刷新管理指示且所述推迟刷新计数器的数值小于最大值,使所述状态机进入所述刷新管理状态;响应于所述自刷新进入请求,根据所述状态机的当前状态,使所述状态机立即或延迟进入所述第二冲刷状态;响应于所述状态机处于所述第二冲刷状态,并且所述推迟刷新计数器的数值大于或等于所述阈值或者接收到所述刷新管理指示,使所述状态机进入所述第一冲刷状态;响应于所述状态机处于所述第一冲刷状态,命令队列未排空,并且所述推迟刷新计数器的数值小于所述阈值或者与所述刷新管理指示对应的操作完成,使所述状态机进入所述第二冲刷状态;响应于所述状态机处于所述第一冲刷状态或所述第二冲刷状态,并且所述命令队列已排空,使所述状态机进入所述自刷新状态;响应于所述自刷新退出命令,使所述状态机进入所述自刷新退出状态;响应于与所述自刷新退出状态对应的操作完成,根据所述推迟刷新计数器的数值,使所述状态机进入所述第一优先级状态或所述第二优先级状态。

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