[发明专利]温度辅助的NAND闪存管理在审

专利信息
申请号: 202011260215.9 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN112365908A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 英韧科技(上海)有限公司
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04;G11C16/34;G06F11/30
代理公司: 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人: 吴珊;成春荣
地址: 201210 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 温度 辅助 nand 闪存 管理
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

从非易失性存储系统中的温度传感器获取读出;

基于所述读出为所述存储系统中的非易失性存储设备生成预测的实时片内温度;

基于所述预测的实时片内温度生成用于读取存储在所述非易失性存储设备中的数据的估计的阈值电压;和

使用所述估计的阈值电压为起点来进行参考电压的局部扫描,以获得具有最小读取误码率的最终读取参考电压。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述温度传感器位于所述非易失性存储系统的存储控制器、所述非易失性存储系统的印刷电路板或所述非易失性存储设备上。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过使用所述读出作为输入的温度回归模型来生成所述预测的实时片内温度。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述温度回归模型是基于多个因素的多变量回归模型,所述多个因素包括所述读出、所述温度传感器与所述非易失性存储设备之间的物理距离、所述非易失性存储系统中的导热材料的热特性、和所述非易失性存设储备的访问频率和读/写访问强度。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过使用所述预测的实时片内温度作为输入的电压回归模型来生成所述估计的阈值电压。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述电压回归模型是基于多个因素的多变量回归模型,所述多个因素包括所述预测的实时片内温度、平均驻留时间、数据保留时间和P/E循环数。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,由所述电压回归模型生成的所述估计的阈值电压随着所述数据保留时间的增加而减小。

8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述多个因素包括编程温度,并且由所述电压回归模型生成的所述估计的阈值电压随着所述编程温度的增加而增加。

9.一种非易失性存储系统,其特征在于,包括:

非易失性存储设备;

温度传感器;和

处理器,被配置为执行如权利要求1至8中任意一项所述的步骤。

10.一种具有计算机指令的非暂时性机器可读介质,其特征在于,当所述可执行指令由硬件处理器执行时,使所述硬件处理器执行如权利要求1至8中任意一项所述的步骤。

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