[发明专利]用于制造薄膜封装的设备以及方法在审
申请号: | 202011260899.2 | 申请日: | 2013-10-10 |
公开(公告)号: | CN112331591A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 许明洙;李正浩;李勇锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L51/52;H01L51/56;B05D1/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 薄膜 封装 设备 以及 方法 | ||
1.一种薄膜封装制造设备,包括:
第一簇,配置成使用溅射工艺在显示基板的相对电极上形成第一无机层;
第二簇,配置成使用单体沉积工艺在所述显示基板上的所述第一无机层上形成第一有机层;以及
第三簇,配置成使用化学气相沉积工艺或等离子体增强化学气相沉积工艺在所述显示基板上的所述第一有机层上形成第二无机层,
其中,沿着一个方向排列所述第一簇、所述第二簇和所述第三簇的顺序,并且以相同顺序分别在对应的簇中形成所述第一无机层、所述第一有机层和所述第二无机层,
其中,所述薄膜封装制造设备还包括卸载簇,所述卸载簇耦合到所述第三簇并且配置成移除从所述第三簇输送的所述显示基板,
其中,所述卸载簇包括传输腔室和多个卸载腔室,所述多个卸载腔室径向安装或耦合到所述传输腔室,以及进入到所述卸载簇的所述显示基板为已完成的显示基板,且所述已完成的显示基板被从所述传输腔室输送到所述多个卸载腔室之一中,
其中,所述卸载腔室中的每个被配置成,当其中不存在所述已完成的显示基板时,将进入到所述卸载簇的所述已完成的显示基板随机或以预定顺序储存在其中,
其中,所述第一簇和所述第二簇使用向下沉积方法分别形成所述第一无机层和所述第一有机层,并且所述第三簇使用向上沉积方法形成所述第二无机层,
其中,所述薄膜封装制造设备还包括耦合到所述第二簇和所述第三簇的第一翻转腔室,所述第一翻转腔室翻转所述显示基板并将所述显示基板从所述第二簇输送到所述第三簇,以及
其中,所述薄膜封装制造设备还包括耦合到所述第三簇和所述卸载簇的第二翻转腔室,所述第二翻转腔室翻转所述显示基板并将所述显示基板从所述第三簇输送到所述卸载簇。
2.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备,其中,
所述第一簇、所述第二簇和所述第三簇各自包括多个工艺腔室。
3.如权利要求2所述的薄膜封装制造设备,其中,
沿着一个方向排列所述第一簇的多个工艺腔室、所述第二簇的多个工艺腔室和所述第三簇的多个工艺腔室的顺序,并且以相同顺序分别在对应的工艺腔室中形成所述第一无机层、所述第一有机层和所述第二无机层。
4.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备,其中,
所述第一簇、所述第二簇和所述第三簇中的至少一个包括掩模储存腔室。
5.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备,还包括:
第四簇,其被耦合到所述第三簇与所述卸载簇之间,并且配置成使用单体沉积工艺在所述显示基板上的所述第二无机层上形成第二有机层。
6.如权利要求5所述的薄膜封装制造设备,还包括:
第五簇,其被耦合到所述第四簇与所述卸载簇之间,并且配置成使用化学气相沉积方法或等离子体增强化学气相沉积方法在所述显示基板上的所述第二有机层上形成第三无机层。
7.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备,其中,
所述第二簇和所述第三簇被交替地安装。
8.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备,还包括以下腔室中的至少一种:
位于所述第一簇与所述第二簇之间并且配置成输送所述显示基板的通道腔室;和
耦合到所述第二簇并且配置成将所述显示基板的输入方向对齐的转动模块腔室。
9.如权利要求1所述的薄膜封装制造设备,还包括:
第一多个通道腔室,位于所述第一簇与所述第二簇之间并且配置成输送所述显示基板;和
第一转动模块腔室,配置成将所述显示基板的输入方向对齐,
其中,所述第一多个通道腔室耦合到所述第一转动模块腔室的相对的两侧以将所述第一簇耦合到所述第二簇。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011260899.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造