[发明专利]DDR SDRAM信号校准装置与方法在审

专利信息
申请号: 202011261107.3 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN112802516A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 余俊锜;蔡福钦;张志伟;周格至 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406;G11C11/4063
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳;郑特强
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: ddr sdram 信号 校准 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种信号校准装置,包含:

一致能信号设定电路,用来产生数据选通致能设定;

一信号垫,用来输出一数据选通信号;

一信号闸控电路,耦接该致能信号设定电路与该信号垫,用来依据该数据选通致能设定产生一数据选通致能设定信号以及一数据选通致能信号,再依据该数据选通致能信号与该数据选通信号输出一闸控数据选通信号;以及

一校准电路,耦接该致能信号设定电路,用来依据该数据选通致能信号与该数据选通信号的至少其中之一以及该数据选通致能设定信号,输出一校正信号,以供该致能信号设定电路依据该校正信号维持或调整该数据选通致能设定。

2.如权利要求1所述的信号校准装置,进一步包含:一终端阻抗校准电路,耦接该信号垫,能够调整该数据选通信号的一三态部的一信号准位。

3.如权利要求2所述的信号校准装置,其中于该信号准位为一第一准位时,该校准电路依据该数据选通致能信号与该数据选通致能设定信号产生该校正信号的一第一校正信号,以及依据该数据选通信号与该数据选通致能设定信号产生该校正信号的一第二校正信号,从而该致能信号设定电路依据该第一校正信号与该第二校正信号维持或调整该数据选通致能设定。

4.如权利要求3所述的信号校准装置,其中若该致能信号设定电路依据该第一校正信号调整该数据选通致能设定,该信号闸控电路依据该数据选通致能设定延迟该数据选通致能信号达一第一改变量,该第一改变量介于该数据选通信号的一前置部的长度的四分之一与四分之三之间;以及若该致能信号设定电路依据该第二校正信号调整该数据选通致能设定,该信号闸控电路依据该数据选通致能设定提早该数据选通致能信号达一第二改变量,该第二改变量介于该前置部的长度的四分之一与四分之三之间。

5.如权利要求3所述的信号校准装置,其中该校准电路包含:

一第一判断电路,用来于该信号准位为该第一准位时,依据该数据选通致能信号的延迟信号与该数据选通致能设定信号产生该第一校正信号;以及

一第二判断电路,用来于该信号准位为该第一准位时,依据该数据选通信号与该数据选通致能设定信号的延迟信号产生该第二校正信号。

6.如权利要求2所述的信号校准装置,其中于该信号准位为一第二准位时,该校准电路依据该数据选通信号与该数据选通致能设定信号产生该校正信号的一第一校正信号与一第二校正信号,从而该致能信号设定电路依据该第一校正信号与该第二校正信号维持或调整该数据选通致能设定。

7.如权利要求6所述的信号校准装置,其中若该致能信号设定电路依据该第一校正信号调整该数据选通致能设定,该信号闸控电路依据该数据选通致能设定延迟该数据选通致能信号达一第一改变量,该第一改变量介于该数据选通信号的一前置部的长度的四分之一与四分之三之间;以及若该致能信号设定电路依据该第二校正信号调整该数据选通致能设定,该信号闸控电路依据该数据选通致能设定提早该数据选通致能信号达一第二改变量,该第二改变量介于该前置部的长度的四分之一与四分之三之间。

8.如权利要求6所述的信号校准装置,其中该校准电路包含:

一第三判断电路,用来于该信号准位为该第二准位时,依据该数据选通信号的延迟信号与该数据选通致能设定信号产生该第一校正信号;以及

一第四判断电路,用来于该信号准位为该第二准位时,依据该数据选通信号与该数据选通致能设定信号的延迟信号产生该第二校正信号。

9.一种信号校准方法,包含:

依据数据选通致能设定产生一数据选通致能设定信号以及一数据选通致能信号;

依据该数据选通致能信号与一数据选通信号输出一闸控数据选通信号;以及

依据该数据选通致能信号与该数据选通信号的至少其中之一,输出一校正信号,该校正信号用于维持或调整该数据选通致能设定。

10.如权利要求9所述的信号校准方法,进一步包含:调整该数据选通信号的一三态部的一信号准位。

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