[发明专利]一种金线莲的设施立体炼苗种植方法

权利要求书

1.一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)种植前准备

选择长势良好、生长抑制、无感染病害和无机械损伤的金线莲组培苗，用50％多菌灵可湿性粉剂500倍液进行消毒；在环境可控的设施植物工厂内，环境温度设定为白天24℃、晚上20℃，空气湿度保持在70％；将培养基质铺平在种植托盘内，采用水槽底部渗透式灌溉；

(2)幼苗移栽

将选择好的带有培养瓶的金线莲组培苗提前在设定良好的设施植物工厂内炼苗1周，使金线莲组培苗适应生长环境，然后将培养瓶里的金线莲幼苗取出清理干净，晾干植物周身水分，移栽到准备好的种植托盘内；

(3)种植及管理

将移栽金线莲幼苗的种植托盘放置在环境条件设定好的设施植物工厂内的立体栽培架内，栽种后第2天，施以缓释肥，栽种后10天内，每天定时浇水一次，满足其生长需求；在炼苗初期和炼苗中期设置合适的光照条件，并定期浇水。

2.根据权利要求1所述的一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，其特征在于：步骤(1)中，所述培养基质选择消毒过的环保基质，所述培养基质是由树皮、泥炭土、蛭石按照质量比6:2:1混合而成。

3.根据权利要求1所述的一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，其特征在于：步骤(3)中，移栽后将种植托盘放置在设施植物工厂的立体栽培架上，每个栽培架有3层，每层放置4个托盘。

4.根据权利要求1所述的一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，其特征在于：步骤(3)中，炼苗初期的光照条件为：移栽后前两个月内，采用光质配比为红蓝绿2:1:1，其光照时长为16h，光照强度设定为40±5μmol/m².s。

5.根据权利要求1所述的一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，其特征在于：炼苗中期的光照条件为：移栽后第三个月开始调整光质配比为红蓝2:1，光照时长为14h，光照强度为40±5μmol/m².s。

6.根据权利要求1所述的一种金线莲的设施立体炼苗种植方法，其特征在于：步骤(1)中，在植物生长环境内炼苗，温度设定与后期栽培后的环境参数相一致。