[发明专利]电致发光型钙钛矿长余辉材料及其制备的LED和LED制备方法

权利要求书

1.一种电致发光型钙钛矿长余辉材料，其特征在于，其化学结构式为A_yD_1-yBX₃、A_yD_1-yB₂X₅或A_zD_4-zBX₆；其中，A为有机铵离子、无机金属离子或有机铵离子与无机金属离子的混合物，D为稀土元素，B为二价金属离子，X为一种卤素离子或者至少两种卤素离子的掺杂，y和z为实数，0＜y≤1，0＜z≤4。

2.如权利要求1所述的电致发光型钙钛矿长余辉材料，其特征在于，所述卤素离子为I^-、Br^-或Cl^-。

3.如权利要求1所述的电致发光型钙钛矿长余辉材料，其特征在于，所述稀土元素为镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪和钇元素中的一种或多种的混合。

4.一种电致发光型钙钛矿长余辉LED，其特征在于，其钙钛矿余辉发光层利用如权利要求1-3中任一项所述的电致发光型钙钛矿长余辉材料制备而成。

5.如权利要求4所述的电致发光型钙钛矿长余辉LED，其特征在于，包括从下至上依次制备在基底上的阴极、电子传输层、所述钙钛矿余辉发光层、空穴传输层和阳极；或者，包括从下至上依次制备在基底上的阳极、空穴传输层、所述钙钛矿余辉发光层、电子传输层和阴极；其中，所述阳极和所述阴极的两端分别与脉冲交流电源连接，所述阴极所述阳极分别为透明导电氧化物薄膜、金属薄膜或金属氧化物/金属/金属氧化物结构的复合薄膜。

6.一种如权利要求5所述的电致发光型钙钛矿长余辉LED的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用溶液制备工艺或真空制备工艺在所述空穴传输层或所述电子传输层上沉积钙钛矿余辉发光层。

7.如权利要求6所述的电致发光型钙钛矿长余辉LED的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿余辉发光层通过钙钛矿长余辉前驱体溶液沉积而成。

8.如权利要求7所述的电致发光型钙钛矿长余辉LED的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿长余辉前驱体溶液的制备方法包括如下步骤：

将钙钛矿前驱体粉末与含有稀土元素的材料粉末混合后加入溶剂进行搅拌，配置成钙钛矿长余辉前驱体溶液。

9.如权利要求6所述的电致发光型钙钛矿长余辉LED的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：

采用磁控溅射工艺、真空热蒸镀工艺或原子层沉积工艺在基底上制备阳极；

用溶液制备工艺或真空制备工艺在所述阳极上沉积空穴传输层；

采用溶液制备工艺或真空制备工艺在所述钙钛矿余辉发光层上沉积电子传输层；

采用真空热蒸镀工艺或原子层沉积工艺在所述电子传输层上制备阴极。

10.如权利要求6所述的电致发光型钙钛矿长余辉LED的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：

采用磁控溅射工艺、真空热蒸镀工艺或原子层沉积工艺在基底上制备阴极；

采用溶液制备工艺或真空制备工艺在所述阴极上沉积电子传输层；

采用溶液制备工艺或真空制备工艺在所述钙钛矿余辉发光层上沉积空穴传输层；

采用真空热蒸镀工艺或原子层沉积工艺在所述空穴传输层上制备阳极。