[发明专利]一种掩模只读存储器在审
| 申请号： | 202011261858.5 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112185965A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;G11C17/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 只读存储器 | ||
1.一种掩膜只读存储器，包括
栅极区，包括若干串联晶体管构成的栅极，用于存储信息并在栅极电压的控制下控制所述掩膜只读存储器的信息读出，各晶体管共用源极和漏极；
漏极区，用于形成所述掩膜只读存储器的漏极；
源极区，用于形成所述掩膜只读存储器的源极。
2.如权利要求1所述的一种掩膜只读存储器，其特征在于：对于选中的晶体管，其栅极接1/2电源电压vdd，未选中晶体管的栅极的接电源电压vdd。
3.如权利要求2所述的一种掩膜只读存储器，其特征在于：所述栅极区至少包括第一栅极和第二栅极，该第一栅极与第二栅极共用所述源极和漏极。
4.如权利要求3所述的一种掩膜只读存储器，其特征在于：当读取所述第一栅极存储的信息时，所述第二栅极的偏置电压上接电源电压vdd，所述第一栅极的偏置电压上接1/2电源电压vdd，此时源极接0V，在位线BL上进行读取。
5.如权利要求4所述的一种掩膜只读存储器，其特征在于：由所述第一栅极作为栅极的晶体管的阈值决定所述掩膜只读存储器的沟道导通或者关闭。
6.如权利要求3所述的一种掩膜只读存储器，其特征在于：当读取所述第二栅极存储的信息时，所述第一栅极的偏置电压上接电源电压vdd，所述第二栅极的偏置电压上接1/2电源电压vdd，此时源极接0V，在位线BL上进行读取。
7.如权利要求6所述的一种掩膜只读存储器，其特征在于：由所述第二栅极作为栅极的晶体管的阈值决定所述掩膜只读存储器的沟道导通或者关闭。
8.如权利要求5或7所述的一种掩膜只读存储器，其特征在于：对于以第一栅极和第二栅极作为栅极的两个晶体管，通过离子注入实现两种阈值电压Vth1、Vth2。
9.如权利要求1所述的一种掩膜只读存储器，其特征在于：所述漏极区由N型重掺杂在P型衬底上构成。
10.如权利要求1所述的一种掩膜只读存储器，其特征在于：所述源极区由N型重掺杂在P型衬底上构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
