[发明专利]氧化物层中深孔铝的填充方法在审
| 申请号： | 202011262136.1 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112382565A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 韩为鹏;邓斌 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 层中深孔铝 填充 方法 | ||
1.一种氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，包括：
在所述氧化层的上表面、所述深孔的孔壁及所述深孔的底部沉积金属钛和氮化钛，形成粘附层；
在所述粘附层上沉积金属钨，形成阻挡层；
在所述阻挡层上沉积金属铝，形成铝薄膜；
在所述铝薄膜上以预设温度沉积金属铝至完全填充所述深孔。
2.根据权利要求1所述的氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，所述填充方法还包括：在形成所述阻挡层之后，在所述阻挡层上沉积金属钛，形成润滑层。
3.根据权利要求2所述的氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，所述润滑层采用磁控溅射的方法沉积，沉积所述润滑层的工艺参数为：通入氩气流量范围为0～100sccm，DC功率范围为0～20000W。
4.根据权利要求2所述的氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，所述润滑层的厚度为600A～700A。
5.根据权利要求1所述的氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，所述粘附层采用磁控溅射的方法沉积，所述粘附层包括厚度为600A～700A的金属钛层和厚度为600A～700A的氮化钛层，沉积所述粘附层的工艺参数为：先通入氩气流量范围为0～100sccm，DC功率范围为0～20000W，沉积所述金属钛层，然后通入氮气流量范围为0～500sccm，DC功率范围为0～20000W，沉积所述氮化钛层。
6.根据权利要求1所述的氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，所述阻挡层采用磁控溅射的方法沉积，所述阻挡层的厚度为600A～800A，沉积所述阻挡层的工艺参数为：通入氩气流量范围为0～100sccm，DC功率范围为0～20000W。
7.根据权利要求1所述的氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，所述铝薄膜在加热基座不施加静电力吸附的条件下，采用磁控溅射的方法沉积，所述铝薄膜的厚度为100A～1200A，沉积所述铝薄膜的工艺参数为：通入氩气流量范围为0～100sccm，DC功率范围为0～30000W。
8.根据权利要求1所述的氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，完全填充所述深孔是在加热基座施加400-800V的静电力吸附的条件下，采用磁控溅射的方法沉积所述金属铝来实现，沉积所述金属铝至完全填充所述深孔的工艺参数为：通入氩气流量范围为0～100sccm，DC功率范围为0～30000W。
9.根据权利要求1所述的氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，所述预设温度大于等于440℃且小于等于540℃。
10.根据权利要求1所述的氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，所述深孔的尺寸为开孔深小于1um，所述深孔的宽大于0.5um，所述深孔的深宽比小于2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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