[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备工艺

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：

(1)对硅片进行磷吸杂处理，在硅片正背表面沉积形成磷扩散层，然后通过酸刻蚀去除磷扩散层；

(2)通过碱溶液对硅片表面进行清洗，形成硅片表面的织构化；

(3)在织构化的硅片正背面沉积非晶硅薄膜层；

(4)在非晶硅薄膜层上正背面沉积导电薄膜层；

(5)在导电薄膜层上正背面覆盖金属电极；

(6)固化金属电极；

(7)测试分选。

2.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中所述硅片为单晶硅衬底，导电类型为N型或者P型。

3.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中所述硅片是边长为156-210mm的准方单晶硅片，所述硅片的厚度为50-200μm。

4.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中所述磷吸杂过程为：将磷源通过N₂携带的方式通入炉管中，沉积温度控制在600-800℃，推进温度设置为800-1000℃，使磷源同氧气和硅发生反应形成单质磷，沉积在硅片正面和背面的表层，得到磷扩散层。

5.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述磷扩散层的深度为0.3-2um，方阻控制在30-100Ω。

6.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中所述酸是体积比为(8-9):(1-2)的HNO₃和HF的混合溶液。

7.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备工艺，其特征在于，步骤(3)包括：

A、通过等离子体化学气相沉积或者催化化学气相沉积，在织构化的硅片正背面沉积本征非晶硅，本征非晶硅层的厚度为5-20nm；

B、通过等离子体化学气相沉淀或者催化化学气相沉积，在本征非晶硅层的正背面沉积掺杂非晶硅，掺杂非晶硅呈N/P或P/N的异型对称结构，其中P型掺杂非晶硅的膜层厚度为5-20nm，N型掺杂非晶硅的膜层厚度为5-30nm。

8.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备工艺，其特征在于，步骤(4)中通过磁控溅射或者反应等离子体沉积的方式沉积导电薄膜层；所述导电薄膜层包括ITO、IWO、AZO，并且所述导电薄膜层的厚度为60-120nm，方阻为30-80Ω。

9.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备工艺，其特征在于，步骤(5)覆盖金属电极的实现方式为丝网印刷，所述金属电极包括垂直分布的主栅和副栅，主栅线数为0-20，栅线宽度为0-1.2mm，副栅线数为80-200，栅线宽度为20-60μm。

10.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池的制备工艺，其特征在于，步骤(6)中所述固化温度不超过200℃。