[发明专利]一种850nm波段高响应度探测器

权利要求书

1.一种850nm波段高响应度探测器，其特征在于：其包括位于探测器最底端的n型衬底，所述n型衬底上由下至上依次包括氧化铝层、n型接触层、n型DBR层、下限制层、吸收层、上限制层、p型接触层和增透膜层，还包括n型电极层和p型电极层，所述n型电极层位于所述n型接触层上且位于所述n型DBR层的一侧，所述p型电极层位于p型接触层上且位于所述增透膜层的一侧。

2.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器，其特征在于：所述n型衬底为超低缺陷密度的GaAs材料，厚度为80-150μm。

3.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器，其特征在于：所述氧化铝层中Al含量大于98％，厚度为10-40nm。

4.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器，其特征在于：所述n型接触层的n型掺杂浓度大于1x 10¹⁸/cm³，厚度为30-100nm。

5.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器，其特征在于：所述n型DBR层为若干个高/低铝组份AlGaAs薄膜对，每个薄膜对分别由850/4nm光学厚度高铝AlGaAs和850/4nm光学厚度低铝AlGaAs构成，n型掺杂浓度为5x 10¹⁷/cm³至1x 10¹⁸/cm³。

6.根据权利要求5所述850nm波段高响应度探测器，其特征在于：所述高铝AlGaAs为Al_0.7GaAs，低铝AlGaAs为Al_0.1GaAs，所述薄膜对的总对数为10-20对。

7.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器，其特征在于：所述下限制层为i型AlGaAs材料，Al组份为0.2-0.5，厚度为100-300nm；所述吸收层为i型GaAs材料，厚度大于1μm；所述上限制层为i型AlGaAs材料，Al组份为0.2-0.5，厚度为100-300nm。

8.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器，其特征在于：所述p型接触层为p型渐变掺杂材料，总厚度为110nm；下部为AlGaAs渐变层，由AlGaAs材料由下至上渐变降低Al组份直至上部的GaAs接触面，最高Al组份含量为0.3，渐变降低至0.2，厚度为100nm，p型掺杂浓度由2x 10¹⁷/cm³至1x 10¹⁸/cm³；GaAs接触面的厚度为10nm，P型掺杂浓度为1x 10¹⁹/cm³。

9.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器，其特征在于：所述增透膜层为双层混合结构，包括下部的氧化钛层及上部的氧化硅层，二者光学厚度和为850nm的四分之一。

10.根据权利要求1所述850nm波段高响应度探测器，其特征在于：所述n型电极层为AuGeNi/Au材料，总厚度为300-500nm；所述p型电极层为TiAu双金属层，总厚度为400-500nm。