[发明专利]集成电路装置

说明书

本发明提供一种集成电路装置。集成电路装置包括第一裸片与第二裸片。第一、第二裸片各自包括：各自包含第一、第二电路系统的第一、第二基底；各自置于第一、第二基底的上方的第一、第二互连结构；各自置于上述第一互连结构的上方的第一、第二介电层；各自置于第一、第二介电层的上方的第一、第二连接垫。第一裸片的第一连接垫连接于第二裸片的第二连接垫，第一裸片与第二裸片的至少一个包括金属─绝缘体─金属电容器，金属─绝缘体─金属电容器包括逐一向上方堆叠的超过两层的金属层。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路技术，尤其涉及集成电路装置及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuitry；IC)产业已经历快速成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进的过程中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件(或线))的缩小而增加。

随着半导体装置的尺寸持续缩减，在制造方面的挑战亦增加。例如，用于在集成电路芯片形成电容器装置的现有工艺已经不够简单或不够便宜。因此虽然现有的半导体制造方法通常符合其预期目的，但无法完全满足所有方面的需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种集成电路装置，以解决上述至少一个问题。

本发明的一实施例是关于一种集成电路装置，其包括一第一裸片与一第二裸片。上述第一裸片包括一第一基底、一第一互连结构、一第一介电层及多个第一连接垫。上述第一基底包含第一电路系统，上述第一互连结构置于上述第一基底的上方，上述第一介电层置于上述第一互连结构的上方，上述第一连接垫置于上述第一介电层的上方。上述第二裸片包括一第二基底、一第二互连结构、一第二介电层及多个第二连接垫。上述第二基底包含第二电路系统，上述第二互连结构置于上述第二基底的上方，上述第二介电层置于上述第二互连结构的上方，上述第二连接垫置于上述第二介电层的上方。上述第一裸片的上述第一连接垫连接于上述第二裸片的上述第二连接垫，上述第一裸片与上述第二裸片的至少一个包括一金属─绝缘体─金属电容器，上述金属─绝缘体─金属电容器包括逐一向上方堆叠的超过两层的金属层。

另一实施例是关于一种集成电路装置，其包括一第一裸片、一第二裸片与一电容器。上述第一裸片与上述第二裸片经由多个连接垫而连接在一起，上述电容器嵌于上述第一裸片与上述第二裸片的至少一个。上述电容器包括超过二个金属层，上述金属层的一第一子集是电性且物理性连接于一第一导体构件，上述金属层的一第二子集是电性且物理性连接于一第二导体构件，上述第二导体构件不同于上述第一导体构件。

又另一实施例是关于一种集成电路装置的形成方法，其包括：提供一第一裸片，上述第一裸片包括一第一基底与一第一互连结构，上述第一互连结构形成在上述第一基底的上方；在上述第一互连结构形成一第一介电层；在上述第一介电层的上方形成一或多个第一连接垫；提供一第二裸片，上述第二裸片包括一第二基底与一第二互连结构，上述第二互连结构形成在上述第二基底的上方；在上述第二互连结构形成一第二介电层；在上述第二介电层的上方形成一或多个第二连接垫；以及将上述一或多个第一连接垫连接于上述一或多个第二连接垫。上述第一裸片与上述第二裸片的至少一个包括嵌于其中的一金属─绝缘体─金属电容器。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1是一集成电路装置(或其一部分)的一剖面侧视图，根据本发明实施例的各种面向，在各种制造阶段所建构。

图2是一集成电路装置(或其一部分)的一剖面侧视图，根据本发明实施例的各种面向，在各种制造阶段所建构。

图3是一集成电路装置(或其一部分)的一剖面侧视图，根据本发明实施例的各种面向，在各种制造阶段所建构。