[发明专利]一种固态硬盘运行纠错方法、装置及相关组件

说明书

本申请公开了一种固态硬盘运行纠错方法，包括从多个NAND闪存颗粒中选取多个数据块样本；对每一数据块样本执行筛选操作；通过所有数据块样本在所有维度对应的最优电压偏移数据构造最优电压偏移表；当固态硬盘运行，根据固态硬盘的数据块所在维度从最优电压偏移表中选取对应的最优电压偏移数据进行纠错。本申请能够提高纠错效率，降低固态硬盘运行时进入纠错流程的概率，提高固态硬盘运行的稳定性。本申请还公开了一种固态硬盘运行纠错装置、电子设备及计算机可读存储介质，具有以上有益效果。

技术领域

本申请涉及存储系统领域，特别涉及一种固态硬盘运行纠错方法、装置及相关组件。

背景技术

随着互联网、云计算、物联网等技术的发展及广泛应用，以及信息技术的高速发展对存储系统的性能提出了更高的要求。固态硬盘因其读写速度快、能耗较低，而被广泛采用。但受NAND本身的物理电气特性的影响，当数据写入时会将电子移动到NAND cell中，随着时间的推移，NAND cell中电子会存在逸出的现象，而读干扰则会有相反的影响，而且随着擦写次数的增加，上述电子偏移的影响还会加剧，具体表现为bit反转，当bit反转的数量超过硬件纠错能力时，则需要额外引入纠错手段来保证数据的准确性，目前常用的纠错手段是直接通过NAND厂家提供的纠错表进行纠错，纠错时需要从该纠错表中的第一组数据开始尝试，可能需要尝试多次才能纠错成功，耗时较长，导致出现较大的读延时，降低硬盘性能。

因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域技术人员目前需要解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种固态硬盘运行纠错方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，能够提高纠错效率，有效降低固态硬盘运行时进入额外纠错流程的概率，提高了固态硬盘运行的稳定性。

为解决上述技术问题，本申请提供了一种固态硬盘运行纠错方法，包括：

从多个NAND闪存颗粒中选取多个数据块样本；

对每一所述数据块样本执行筛选操作，所述筛选操作包括：确定该数据块样本的维度，利用原始纠错表的电压偏移数据对该数据块样本进行纠错，将纠错误码率满足预设条件的多个所述电压偏移数据作为该数据块样本在所述维度的最优电压偏移数据；

通过所有所述数据块样本在所有所述维度对应的最优电压偏移数据构造最优电压偏移表；

当所述固态硬盘运行，根据所述固态硬盘的数据块所在维度从所述最优电压偏移表中选取对应的最优电压偏移数据进行纠错。

优选的，所述维度包括擦写次数、数据保持时间及读干扰。

优选的，所述筛选操作还包括：

判断该数据块样本在相邻维度的两个最优电压偏移数据的差值是否小于预设值；

若是，选择任一所述最优电压偏移数据作为构造所述最优电压偏移表的最优电压偏移数据。

优选的，所述利用原始纠错表的电压偏移数据对该数据块样本进行纠错的过程包括：

利用多组原始纠错表的电压偏移数据对该数据块样本进行纠错。

优选的，所述将纠错误码率满足预设条件的多个所述电压偏移数据作为该数据块样本在所述维度的最优电压偏移数据的过程具体包括：

将解码成功且纠错误码率满足预设条件的多个所述电压偏移数据作为该数据块样本在所述维度的最优电压偏移数据。

优选的，所述从多个NAND闪存颗粒中选取多个数据块样本之后，该固态硬盘运行纠错方法还包括：

将所有所述数据块样本划分为筛选样本组和验证样本组；

相应的，所述对每一所述数据块样本执行筛选操作的过程具体包括：