[发明专利]一种PECVD镀膜机

说明书

本发明提供一种PECVD镀膜机，包括用于镀膜操作的真空炉腔，所述真空炉腔内设有至少两个与硅片相关的工位，硅片的烧制工位同时也是硅片的装载工位，硅片被通过平移机构装入镂空载板中，镂空载板包括多个，多个镂空载板在硅片的装载工位上下排列且等间距均布，形成硅片载具，单个镂空载板上至少设有一个镂空部位和一个安装部位，镂空部位位于镂空载板的中部，所述安装部位位于所述镂空载板的一侧，多个镂空载板的安装部位位于镂空载板的同一侧。本发明采用竖向送片和水平插片的方式，硅片和电极片的交替对插在真空炉腔内完成，对于镀膜过程来说，从插片到镀膜的过程，都可以进行氛围控制，有利于调整镀膜环境，提升镀膜质量。

技术领域

本发明涉及镀膜机，尤其涉及用于太阳能电池表面的钝化膜镀膜设备。

背景技术

等离子增强化学气相沉积系统是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子结构，而等离子结构化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子结构的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子结构增强化学气相沉积(PECVD)。

在太阳能光伏产业中，常采用PECVD制备减反射膜如氮化硅膜，碳化硅膜，氧化硅膜等；传统的PECVD镀膜，通常都是单面镀膜，对于膜的单面性要求很高，传统的生产设备容易造成绕镀，不能规避卡点印问题。同时，对于超薄硅片容易造成生产过程中硅片变形，碎片率高等问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种PECVD镀膜机，能够克服背景技术中的问题。

本发明解决技术问题所采用的技术方案是：

一种PECVD镀膜机，包括用于镀膜操作的真空炉腔，所述真空炉腔内设有至少两个与硅片相关的工位，其中一个是硅片的预载工位，另一个是硅片的烧制工位，硅片的烧制工位同时也是硅片的装载工位，在硅片的装载工位上，硅片被通过平移机构装入镂空载板中，镂空载板包括多个，多个镂空载板在硅片的装载工位上下排列且等间距均布，形成硅片载具，单个镂空载板上至少设有一个镂空部位和一个安装部位，所述镂空部位位于镂空载板的中部，所述安装部位位于所述镂空载板的一侧，所述多个镂空载板的安装部位位于镂空载板的同一侧；

所述安装部位固定在载板升降组件上，所述载板升降组件安装在所述真空炉腔的一侧，所述真空炉腔的底部设有电极推送机构，电极推送机构上设有电极片的预载装置，所述预载装置上等间距地设有硅片的预载部位，所述预载部位包括竖向布置的等离子电极，所述等离子电极沿其高度方向上等间距地设有电极片的预载工位，所述电极片的预载工位包括能够横向安装硅片的卡槽，所述卡槽的间距与镂空载板的间距相同；所述等离子电极的上端通过等离子电极柱连接至等离子结构；所述真空炉腔的底部设有抽真空接口。

进一步地，所述镂空载板包括方形框架和设置在方形框架中的十字形支架，所述十字形支架将所述方形框架围成的空间隔成四个等间距方形镂空区域，方形框架和十字形支架均采用石英材料制成，方形框架和十字形支架的宽度不超过单个镂空区域宽度的1/10，以保证为硅片的烧制留出足够的表面区域，所述方形框架和十字形支架的厚度不小于硅片厚度。

进一步地，每个镂空区域内均设有卡点，卡点设置在每个镂空区域的边缘中部，且在镂空载板的厚度方向上靠近下底面布置，卡点包括半圆形片材，卡点也采用石英材料支撑，卡点的宽度不超过硅片厚度的2倍。

进一步地，安装部位设置在方形框架其中一侧边的外侧中部，安装部位上设有两个安装孔，两个安装孔大小和形状一致，且沿方形框架的中心位置对称布置。