[发明专利]一种多层外延减压生长方法

权利要求书

1.一种多层外延减压生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、减压外延生长设备的反应腔前处理；

B、外延减压生长步骤；

C、每重复步骤A、B 3～5次后进行一次图形刻蚀步骤；

D、图形刻蚀的后处理。

2.根据权利要求1所述的沟槽功率器件与源极电容集成的制造方法，其特征在于，所述步骤A具体包括如下步骤：

步骤S1、将减压外延生长设备的反应腔升温至1150～1190℃，向反应腔体内通入高纯HCL气体，基座转速为25转/分钟；

步骤S2、向反应腔体内通入高纯H₂同时将反应腔体内的温度降温至700～900℃，基座转速降为0。

3.根据权利要求2所述的沟槽功率器件与源极电容集成的制造方法，其特征在于，所述高纯H₂的流量为50～90L/min。

4.根据权利要求1所述的沟槽功率器件与源极电容集成的制造方法，其特征在于，所述步骤B具体包括如下步骤：

步骤S3、将单晶硅片装载到载片基座上，将基座转速升至35转/分钟；

所述单晶硅片的尺寸为12寸；

步骤S4、将反应腔体内的压力从大气压降低至30～130Torr，同时将反应腔升温至1000～1150℃，载气高纯H₂的流量为40～80L/min；

步骤S5、预流硅源气体，然后将硅源气体通入反应腔生长外延得到晶圆；

所述硅源气体为DCS气体，所述硅源气体的预流时间大于或等于至少20s，外延的生长速率为0.5～2.0um/min；

步骤S6、停止对反应腔体抽真空，使反应腔体内的压强回到大气压，同时将反应腔降温至900℃以下，取出外延片。

5.根据权利要求4所述的沟槽功率器件与源极电容集成的制造方法，其特征在于，所述步骤S4中反应腔升温的速度为2～8℃/秒。

6.根据权利要求4所述的沟槽功率器件与源极电容集成的制造方法，其特征在于，所述步骤S4中反应腔体内的压力从大气压降低至50～100Torr，同时反应腔升温至1050～1130℃。

7.根据权利要求6所述的沟槽功率器件与源极电容集成的制造方法，其特征在于，所述步骤S4中反应腔体内的压力从大气压降低至75Torr，同时反应腔升温至1110℃。

8.根据权利要求1所述的沟槽功率器件与源极电容集成的制造方法，其特征在于，所述步骤C具体包括如下步骤：

步骤S7、每次步骤A、B后需要在外延图形片在设计区域注入需要掺杂的N型及P型；并去除并清洗光刻和离子注入所引入的光刻胶，氧化层及其他杂质；

步骤S8、重复步骤A、B 3～5次后将生长完外延的晶圆通过光刻和刻蚀做图形；并去除并清洗光刻、刻蚀或离子注入所引入的光刻胶，氧化层及其他杂质。

9.根据权利要求8所述的沟槽功率器件与源极电容集成的制造方法，其特征在于，所述图形的深度为0.8～1.5um。