[发明专利]一种制作三结太阳电池的方法及三结太阳电池

权利要求书

1.一种制作三结太阳电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、制作GaSb电池，采用外延生长技术在GaSb衬底上外延生长GaSb电池结构；

S2、制作InGaP子电池与GaAs子电池，采用倒置生长技术在GaAs衬底上一次外延出InGaP子电池、GaAs子电池结构；

S3、沉积ITO导电薄膜，在GaSb衬底外延生长的最前端的端面上沉积ITO导电薄膜，并在GaAs衬底外延生长的最前端的端面上同样沉积ITO导电薄膜；

S4、抛光，采用CMP技术对GaSb衬底以及GaAs衬底上的ITO导电薄膜进行表面抛光；

S5、直接键合，采用直接键合技术将两种外延片进行键合，键合的面为步骤S4中的抛光面；

S6、剥离GaAs衬底，将步骤S2中使用的GaAs衬底从外延层上剥离；

S7、芯片制作，利用芯片制造工艺，制作上下电极、减反射膜，最后划片形成单体电池；

步骤S7具体包括以下步骤：

S71、利用电子束蒸发技术结合光刻技术，在电池表面蒸镀金属电极并于金属电极上制出电极图形；

S72、使用柠檬酸与双氧水混合溶液，去除电极图形以外的GaAs；

S73、蒸镀减反射膜；

S74、制作下电极；

S75、划片，得到单体电池。

2.根据权利要求1所述的一种制作三结太阳电池的方法，其特征在于：

步骤S1中的GaSb衬底上依次外延生长出背反射层、基区层、发射区层、窗口层、GaSbcap层，且背反射层同时作为缓冲层。

3.根据权利要求2所述的一种制作三结太阳电池的方法，其特征在于：

所述GaSb cap层、所述发射区层、所述窗口层掺杂均为N型，所述背反射层、所述基区层掺杂均为P型。

4.根据权利要求2所述的一种制作三结太阳电池的方法，其特征在于：

步骤S2中的GaAs衬底依次外延生长出牺牲层、GaAscap层、AlInPwindow、InGaPemitter、InGaPbase、GaAs/AlGaAs TJ、GaAs window、GaAs emitter、GaAs base、AlGaAs BSF。

5.根据权利要求4所述的一种制作三结太阳电池的方法，其特征在于：

步骤S6中剥离GaAs衬底的方式具体为通过HF溶液将所述牺牲层腐蚀去除，进而使得GaAs衬底与其它外延生长层脱离，以便于对GaAs衬底的回收再利用。

6.根据权利要求5所述的一种制作三结太阳电池的方法，其特征在于：

步骤S6中还包括采用磁力搅拌的方式对HF溶液进行搅拌。

7.根据权利要求1所述的一种制作三结太阳电池的方法，其特征在于：

步骤S71中的电极材料包括Au、AuGeNi、Ag。

8.根据权利要求7所述的一种制作三结太阳电池的方法，其特征在于：

电极材料由内至外依次设置有Au层、AuGeNi层、Au层、Ag层、Au层。

9.一种三结太阳电池，其特征在于，采用权利要求1-8中任意一项所述的制作三结太阳电池的方法制成。