[发明专利]无掺杂有机小分子空穴传输材料、钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠的第一电极、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和第二电极，

其中所述钙钛矿吸光层包括层叠设置的三维钙钛矿吸光层和二维钙钛矿修饰层且所述二维钙钛矿修饰层位于所述三维钙钛矿吸光层与所述空穴传输层之间，所述空穴传输层的材料为无掺杂有机小分子空穴传输材料，其结构式如式I所示：

其中，所述无掺杂有机小分子空穴传输材料的结构式中的X、Y、R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆选自X和Y为-F，R₁、R₃、R₄和R₆为直链C8烷基，R₂和R₅为-H以及

X和Y为-F，R₂、R₃、R₄和R₅为直链C6烷基，R₁和R₆为-H中的一种。

2.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层的材料选自SnO₂、TiO₂和PCBM中至少的一种。

3.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述三维钙钛矿吸光层厚度为260nm～300nm，所述二维钙钛矿修饰层厚度为5nm～15nm。

4.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述三维钙钛矿吸光层材料为有机-无机钙钛矿，其化学式为Cs_0.05FA_0.79MA_0.16PbI_2.49Br_0.51，其中，所述FA为-HC(NH₂)₂，所述MA为-CH₃NH₃，所述二维钙钛矿修饰层材料为丁基碘化铵。

5.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述第一电极为透明氧化物半导体。

6.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述第一电极为ITO、FTO和AZO中的一种。

7.如权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述第二电极选自金电极和银电极中的至少一种。

8.一种制备如权利要求2～7任一项所述的钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述第一电极上依次形成所述电子传输层、所述钙钛矿吸光层、所述空穴传输层和所述第二电极。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿吸光层的制备步骤包括：在所述电子传输层上依次形成所述三维钙钛矿吸光层和所述二维钙钛矿修饰层。

10.一种电子产品，其特征在于，其供电装置为权利要求2～7任一项所述的钙钛矿太阳能电池。