[发明专利]一种磷化铟衬底的清洗方法

说明书

本发明提供一种磷化铟衬底的清洗方法，包括以下步骤：(1)将抛光后的磷化铟衬底在a℃的硫酸溶液中浸泡e秒；(2)将步骤(1)处理后的磷化铟衬底在c℃的硫酸溶液中浸泡f秒后去离子水冲洗；(3)将步骤(2)处理后的磷化铟衬底在清洗液中清洗后用去离子水冲洗，所述清洗液包括无机酸、双氧水和水；(4)将步骤(3)处理后的磷化铟衬底用氢氟酸水溶液清洗h秒后用去离子水冲洗；所述氢氟酸水溶液中氟化氢的质量浓度为g％；(5)将步骤(6)处理后的磷化铟衬底用SC1清洗液清洗后用去离子水冲洗。本发明的磷化铟衬底清洗方法显著减少了清洗后磷化铟衬底的亮点数量，降低了氧化层的厚度，提高了清洗的成品率。

技术领域

本发明涉及半导体衬底制造领域，具体涉及一种磷化铟衬底的清洗方法。

背景技术

InP晶体具有高的饱和电场漂移速度，良好的导热性能和较强的抗辐射能力等优点，适合于制造高频、高速和低功耗微波器件和电路。InP衬底的质量直接影响外延层的质量，进而影响InP基器件的性能，除了衬底材料要保证性能质量必须满足客户要求，衬底表面质量也必须满足客户使用要求，与客户工艺相匹配。InP清洗直接影响衬底表面的洁净度、粗糙度、氧化层厚度、白雾、表面杂质含量等，这些参数都会影响InP后续的外延及器件性能，现有的InP清洗工艺晶片表面亮点多、氧化层太厚影响客户外延后的质量，且现有清洗工艺耗时长成品率低，生产成本太高，所以迫切需要开发新的清洗工艺来更好的满足客户的需求。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种磷化铟衬底的清洗方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种磷化铟衬底的清洗方法，所述方法包括以下步骤：

(1)将抛光后的磷化铟衬底在a℃的硫酸溶液中浸泡e秒，所述硫酸溶液的质量浓度为b％；其中，65≤a≤100，50≤b≤90；

(2)将步骤(1)处理后的磷化铟衬底在c℃的硫酸溶液中浸泡f秒后去离子水冲洗，所述硫酸溶液的质量浓度为d％；其中，20≤c≤60，50≤d≤90；

(3)将步骤(2)处理后的磷化铟衬底在清洗液中清洗后用去离子水冲洗，所述清洗液包括无机酸、双氧水和水；

(4)将步骤(3)处理后的磷化铟衬底用氢氟酸水溶液清洗h秒后用去离子水冲洗；所述氢氟酸水溶液中氟化氢的质量浓度为g％；

(5)将步骤(6)处理后的磷化铟衬底SC1清洗液清洗2～20s后用去离子水冲洗。

上述磷化铟衬底清洗方法，依次用高温硫酸、低温硫酸、清洗液、氢氟酸水溶液和SC1清洗液清洗，并且限定各步骤的清洗液的浓度、清洗的时间，显著减少了清洗后磷化铟衬底的亮点数量，降低了氧化层的厚度，提高了清洗的成品率。

优选地，所述a、b、c、d、e和f符合以下关系：1.0≤(cbe/adf+gh/be)≤1.1。

发明人通过研究发现，当a、b、c、d、e和f符合以下关系时，1.0≤(cbe/adf+gh/be)≤1.1，更有利于减少清洗后磷化铟衬底的亮点数量提高清洗的成品率。

优选地，所述步骤(1)中，浸泡的时间为1～30s。

优选地，所述步骤(2)中，浸泡的时间为1～30s。

优选地，所述步骤(3)中，清洗的时间为20～100s。

优选地，所述步骤(4)中，清洗的时间为20～100s。

优选地，所述步骤(5)中，清洗的时间为2～20s。